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BZX784B12

器件型号:BZX784B12
器件类别:分立半导体   
文件大小:1MB,共2页
厂商:长电科技(JCET)

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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器件描述

齐纳二极管

产品简介

功能特点

产品名称:齐纳二极管


产品型号:BZX784B12


产品特征:


Planar Die Construction


100mW Power Dissipation


Zener Voltages from 2.4 – 39V




产品参数:


Pd 耗散功率 :100mW


Vz 稳定电压 :Nom=12V Min=11.76V Max=12.24V


Zzt击穿阻抗 :25Ω


Zzk击穿阻抗 :150Ω


IR 反向电流 :0.1uA


Vf 正向压降:0.9V



封装:SOD-723

BZX784B12产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-723 Plastic-Encapsulate Diode
BZX784B2V4-BZX784B39
ZENER DIODE
FEATURES
• Planar Die Construction
100mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4 – 39V
SOD-723
Maximum Ratings(T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Characteristic
Forward Voltage
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
=10mA
Symbol
V
F
P
D
R
θ
JA
T
j
,T
STG
Value
0.9
100
1250
-65~ +150
Unit
V
mW
/W
A,Jun,2011
Electrical Characteristics(
T
a
=25
unless otherwise specitied
)
Maximum
Reverse
Current
I
R
(uA)
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
Min
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
Typical temperature
coefficient
@ I
ZT
mV/°C
Max
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
Type
Number
Type
Code
Zener Voltage Range (Note 2)
Maximum Zener Impedance
(Note 3)
I
ZT
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
Z
ZK
@I
ZK
(mA)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
Z
@I
ZT
Nom(V)
Min(V)
2.20
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
Max(V)
2.60
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
(mA)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
BZX584C2V4
BZX584C2V7
BZX584C3V0
BZX584C3V3
BZX584C3V6
BZX584C3V9
BZX584C4V3
BZX584C4V7
BZX584C5V1
BZX584C5V6
BZX584C6V2
BZX584C6V8
BZX584C7V5
BZX584C8V2
BZX584C9V1
BZX584C10
BZX584C11
BZX584C12
BZX584C13
BZX584C15
BZX584C16
BZX584C18
BZX584C20
BZX584C22
BZX584C24
BZX584C27
BZX584C30
BZX584C33
BZX584C36
BZX584C39
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
Notes: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2.Tested with pulses, period=5ms,pulse width =300us.
3.f = 1KH
Z
A,Jun,2011
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