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BZT52C3V6S

器件型号:BZT52C3V6S
器件类别:分立半导体   
厂商:长电科技(JCET)

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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BZT52C3V6S在线购买

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器件描述

齐纳二极管

产品简介

功能特点

产品名称:齐纳二极管


产品型号:BZT52C3V6S


产品特征:


Planar die construction


200mW power dissipation on ceramic PBC


General purpose, Medium current


Ideally suited for automated assembly processes


Available in Lead free version




产品参数:


Pd 耗散功率 :200mW


Vz 稳定电压 :Nom=3.6V Min=3.4V Max=3.8V


Zzt击穿阻抗 :90Ω


Zzk击穿阻抗 :600Ω


IR 反向电流 :5uA


Vf 正向压降:0.9V



封装:SOD-323

BZT52C3V6S产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
BZT52C2V4S-BZT52C39S
ZENER DIODE
FEATURES:
Planar die construction
200mW power dissipation on ceramic PBC
General purpose, Medium current
Ideally suited for automated assembly processes
Available in Lead free version
SOD-323
Maximum Ratings
(T
a
=25℃ unless otherwise specified
)
Characteristic
Forward Voltage (Note 2) @ I
F
= 10mA
Power Dissipation(Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
V
F
P
D
R
θJA
T
j
,T
STG
Value
0.9
200
625
-65
~
+150
Unit
V
mW
℃/W
Notes:1. Device mounted on ceramic PCB; 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm
2
.
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
3. f = 1kHz.
A,Jun,2011
Electrical Characteristics(T
a
= 25℃ unless otherwise specified
)
Maximum
Zener Voltage Range (Note 2)
TYPE
Marking
V
Z
@I
ZT
Nom(V)
BZT52C2V4S
BZT52C2V7S
BZT52C3V0S
BZT52C3V3S
BZT52C3V6S
BZT52C3V9S
BZT52C4V3S
BZT52C4V7S
BZT52C5V1S
BZT52C5V6S
BZT52C6V2S
BZT52C6V8S
BZT52C7V5S
BZT52C8V2S
BZT52C9V1S
BZT52C10S
BZT52C11S
BZT52C12S
BZT52C13S
BZT52C15S
BZT52C16S
BZT52C18S
BZT52C20S
BZT52C22S
BZT52C24S
BZT52C27S
BZT52C30S
BZT52C33S
BZT52C36S
BZT52C39S
WX
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
WF
WG
WH
WI
WJ
WK
WL
WM
WN
WO
WP
WQ
WR
WS
WT
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
Min(V)
2.20
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
Max(V)
2.60
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
I
ZT
(mA)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
V
ZT
@I
ZT
600
600
600
600
600
600
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
300
300
325
350
350
Maximum Zener Impedance
(Note 3)
Reverse
Current
(Note 2)
V
ZK
@I
ZK
I
ZK
(mA)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
I
R
μA
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
27.3
Min
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
Max
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13
14
16
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Typical
Temperature
Coefficient
@I
ZTC
mV/℃
Test
Current
I
ZTC
A,Jun,2011
奇怪的宏,c和指针上都没有
#defineCY_ISR_PROTO(FuncName)voidFuncName(void) 然后我在vc上编了个#include <iostream.h> #definexx(yy)voidyy(void) voidyy(void) { cout<<\"woo\"<<endl; } voidmain() { xx(yy); } 能执行,也没有死循环,请问上面那个xx(yy),怎么理解这个,xx()得到...
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什么叫“高精度智能化补偿的压力变送器”?
请教: 1.高精度智能化补偿的压力变送器的精度是多少? 2.智能化补偿的内容都有哪些?如何实现? 3.求“高精度智能化补偿的压力变送器”资料。 在网上没有找到答案和有用的资料,因此发帖求助。 请前辈、大侠指点! 非常感谢! 什么叫“高精度智能化补偿的压力变送器”?...
yhye2world 综合技术交流
【新思科技IP资源】使用带有处理器 IP 的计算存储来优化数据中心功耗和性能
简介 据FortuneBusinessInsights称,服务提供商每年将增加约25%的存储支出,以便在未来几年内管理增加的数据。这意味着,数据中心的年度存储支出到2022年将增长到850亿美元,到2027年将增长到近3000亿美元。在增加数据存储的同时,数据中心运营商希望减少能源费用以及与运营相关的碳足迹。因此,服务提供商将投资重点放在更高性能和更低功耗计算能力上,从而减少数据移动,因为数据移动本身是一个十分耗费能源的过程。例如,每分钟将超过500小时的内容上...
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关于中国进口集成电路种类的问题
大家好!有一个问题想请教一下,问题有点儿高大上,呵呵。 中国在2013年进口的集成电路约为2300亿美元,2014年的约为2400亿美元,我想 知道一下这些进口的芯片种类包括哪些,还有就是每个种类在进口总额中所占的 比例是多少。 哪位大神有相关的资料和信息,求帮助,谢啦! 关于中国进口集成电路种类的问题...
xqeyxy 综合技术交流
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