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BO520LW-SOD-123

器件型号:BO520LW-SOD-123
器件类别:半导体    分立半导体   
文件大小:173KB,共3页
厂商:长电科技(JCET)

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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器件描述

0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE

BO520LW-SOD-123产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-123 Plastic-Encapsulate Diode
SOD-123
Features
·
·
·
Low Forward Voltage Drop
Guard Ring Construction for
Transient Protection
High Conductance
2.70
1.6
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@ T = 100°C
L
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Power Dissipation (Note 1)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Voltage Rate of Change
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j,
T
STG
dv/dt
B0520LW
20
14
B0530W
30
21
0.5
5.5
410
244
-65 to +125
1000
B0540W
40
28
Unit
V
V
A
A
mW
°C/W
°C
V/ms
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Minimum Reverse Breakdown Voltage (Note 2)
Symbol
V
(BR)R
B0520LW
20
¾
¾
0.300
0.385
¾
0.220
0.330
¾
75
¾
250
¾
¾
5.0
8.0
¾
Junction Capacitance
Notes:
C
j
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature.
2. Pulse Test: Pulse width = 300ms, Duty Cycle
£
2%.
B0530W
¾
30
¾
0.375
0.430
¾
¾
¾
¾
¾
20
¾
130
¾
¾
¾
¾
170
B0540W Unit
¾
¾
40
¾
0.510
0.620
¾
0.460
0.610
¾
¾
10
¾
20
¾
5.0
13
V
Test Conditions
I
R
= 250mA
I
R
= 130mA
I
R
= 20mA
I
F
= 0.1A, T
j
= 25°C
I
F
= 0.5A, T
j
= 25°C
I
F
= 1.0A, T
j
= 25°C
I
F
= 0.1A, T
j
= 100°C
I
F
= 0.5A, T
j
= 100°C
I
F
= 1.0A, T
j
= 100°C
V
R
= 10V, T
j
=
V
R
= 15V, T
j
=
V
R
= 20V, T
j
=
V
R
= 30V, T
j
=
V
R
= 40V, T
j
=
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
Maximum Forward Voltage Drop
(Note 2)
V
FM
V
Maximum Leakage Current
(Note 2)
mA
I
RM
mA
pF
V
R
= 10V, T
j
= 100°C
V
R
= 20V, T
j
= 100°C
V
R
= 40V, T
j
= 100°C
f = 1MHz, V
R
= 0V DC
0.55
3.70
1.05
1.0
10
0.75
I
F
, INSTANTANEOUS FWD CURRENT (A)
I
O
, AVERAGE RECTIFIED CURRENT (A)
B0540W
1.0
0.50
0.1
B0520LW
B0530W
T
j
= 25
°
C
Pulse width = 300
µ
s
2% duty cycle
0.25
0
0.01
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
L
, LEAD TEMPERATURE (
°
C)
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
1000
C
j
, CAPACITANCE (pF)
100
10
1.0
0
5
10
15
20
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Typ. Junction Capacitance vs Reverse Voltage
SOD-123 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
E
A1
A2
b
E1
A
L
0.20
L1
θ
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
L
L1
θ
Dimensions In Millimeters
Min
1.050
0.000
1.050
0.450
0.080
1.500
2.600
3.550
0.500REF
0.250
0.450
Max
1.250
0.100
1.150
0.650
0.150
1.700
2.800
3.850
Min
c
Dimensions In Inches
Max
0.049
0.004
0.045
0.026
0.006
0.067
0.110
0.152
0.020REF
0.010
0.018
0.041
0.000
0.041
0.018
0.003
0.059
0.102
0.140
D
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