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BAP51-02

器件型号:BAP51-02
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商:长电科技(JCET)

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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器件描述

BAP51-02 通用PIN二极管

参数
参数名称属性值
厂商名称长电科技(JCET)
Reach Compliance Codeunknown
二极管类型PIN DIODE
Base Number Matches1

产品简介

功能特点

产品名称:通用PIN二极管


产品型号:BAP51-02


产品特征:


Low diode capacitance


Low diode forward resistance

参数指标

Pd 耗散功率 :150mW


IF 正向电流 : 50mA


VR 反向工作电压:50V


IR 反向电流:0.1uA


Cd@1MHz :0V=0.4+pF 1V=0.55pF 5V=0.35pF


rd :2.5Ω


封装:SOD-523

BAP51-02产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-523 Plastic-Encapsulate Diodes
BAP51-02
GENERAL PURPOSE PIN DIODES
FEATURES
Low diode capacitance
Low diode forward resistance
MARKING: A5
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter
Continuous Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Power Dissipation (Ta=90℃)
Thermal Resistance from Junction to
Soldering Point
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
R
I
F
Pd
R
θJS
T
j
T
STG
Limit
60
50
715
85
-55~+150
-55~+150
Unit
V
mA
mW
℃/W
Electrical Ratings @Ta=25℃
Parameter
Continuous reverse voltage
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
R
V
F
I
R
C
d1
Diode capacitance
C
d2
C
d3
r
D
Diode forward resistance
r
D
r
D
0.4*
0.55
0.35
9
6.5
2.5
Min
50
1.1
100
Typ
Max
Unit
V
V
nA
pF
pF
pF
Conditions
I
R
=10μA
I
F
=50mA
V
R
=50V
V
R
=0V,f=1MHz
V
R
=1V,f=1MHz
V
R
=5V,f=1MHz
I
F
=0.5mA , f=100MHz;note1
I
F
=1mA , f=100MHz;note1
I
F
=10mA , f=100MHz;note1
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