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AZ23C13

产品描述Zener Diode, 13V V(Z), 5%, 0.3W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小532KB,共2页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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AZ23C13概述

Zener Diode, 13V V(Z), 5%, 0.3W

AZ23C13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称长电科技(JCET)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗25 Ω
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.3 W
标称参考电压13 V
表面贴装YES
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA

AZ23C13文档预览

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diode
FEATURES
AZ23C2V7-AZ23C39
ZENER DIODE
Dual zeners in common anode configuration.
300mW power dissipation rating.
Ideally suited for automatic insertion.
△Vz
for both diodes in one case is ≤5%.
Common cathode style available see DZ series.
Also available in lead free version.
SOT-23
Maximum Ratings(T
a
= 25℃ unless otherwise specified)
Characteristic
Forward Voltage
Power Dissipation
Thermal Resistance
from
Junction to Ambient
Junction
Temperature
Storage Temperature Range
@ I
F
= 10mA
Symbol
V
F
P
D
R
θJA
T
j
T
STG
Value
0.9
300
417
150
-55~+150
Unit
V
mW
/
W
B,Oct,2013
Electrical Characteristics(
T
a
= 25°C unless otherwise specified)
Zener
Voltage
Type
Number
Marking
Code
Range (note1)
@ I
ZT
=5.0mA
V
Z
(V )
AZ23C2V7
AZ23C3V0
AZ23C3V3
AZ23C3V6
AZ23C3V9
AZ23C4V3
AZ23C4V7
AZ23C5V1
AZ23C5V6
AZ23C6V2
AZ23C6V8
AZ23C7V5
AZ23C8V2
AZ23C9V1
AZ23C10
AZ23C11
AZ23C12
AZ23C13
AZ23C15
AZ23C16
AZ23C18
AZ23C20
AZ23C22
AZ23C24
AZ23C27
AZ23C30
AZ23C33
AZ23C36
AZ23C39
Notes:
Maximum
Zener
Impedance (note 2)
Z
ZT
@I
ZT
=5.0mA
83
95
95
95
95
95
78
60
40
10
8.0
7.0
7.0
10
15
20
20
25
30
40
50
50
55
80
80
80
80
90
90
Z
Zk
@I
Zk
=1.0mA
500
500
500
500
500
500
500
480
400
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
250
250
250
300
Typical
Temperature
Coefficient
Tc (%/℃
-0.065
-0.060
-0.055
-0.055
-0.050
-0.035
-0.015
+0.005
+0.020
+0.030
+0.045
+0.050
+0.055
+0.065
+0.065
+0.070
+0.075
+0.080
+0.080
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.090
+0.110
Min
Reverse
Voltage
(note1)
@I
R
=0.1μA
V
R
(V)
0.8
1.0
2.0
3.0
5.0
6.0
7.0
7.5
8.5
9.0
10.0
11.0
12.0
14.0
15.0
17.0
18.0
20.0
22.5
25.0
27.0
29.0
KD1
KD2
KD3
KD4
KD5
KD6
KD7
KD8
KD9
KDA
KDB
KDC
KDD
KDE
KDF
KDG
KDH
KDI
KDJ
KDK
KDL
KDM
KDN
KDO
KDP
KDQ
KDR
KDS
KDT
2.5-2.9
2.8-3.2
3.1-3.5
3.4-3.8
3.7-4.1
4.0-4.6
4.4-5.0
4.8-5.4
5.2-6.0
5.8-6.6
6.4-7.2
7.0-7.9
7.7-8.7
8.5-9.6
9.4-10.6
10.4-11.6
11.4-12.7
12.4-14.1
13.8-15.6
15.3-17.1
16.8-19.1
18.8-21.2
20.8-23.3
22.8-25.6
25.1-28.9
28-32
31-35
34-38
37-41
1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
2. f=1kH
z
B,Oct,2013
在评价与选择SiC MOSFET器件时,需要关注哪些参数?
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