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8205SS

器件型号:8205SS
器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   
厂商:FM富满
深圳市富满电子集团股份有限公司创立于2001年,是一家从事高性能模拟及数模混合集成电路设计研发、封装、测试和销售的国家级高新技术企业。目前拥有电源管理、LED驱动、MOSFET等涉及消费领域IC产品四百余种。
厂商官网:http://www.superchip.cn/index.aspx
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器件描述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:双N沟道 N沟道双MOS管

参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻30mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型双N沟道

8205SS产品介绍

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深圳市富满电子集团股½有限公司
SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
S&CIC1478)
8205SS
(文件编号:
N
沟道功率
MOS
场效应用管
Drain
G1
6
D
5
G2
4
G at e1
Gate2
1
S1
2
D
3
S2
Source1
Source2
SOT23-6
绝对最大额定值
(T
A
=25℃,除非另有说明。)
参数
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
存储温度
工½结温
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
TS
TG
T
J
20
±8
5
16
-55 to +150
-55 to +150
单½
V
V
A
A
电特性
(T
A
=25℃,除非另有说明。)
特性(OFF)
参数
漏源击穿电压
栅源短路时漏极电流
漏极短路时截止栅电流
特性(ON)
栅极阈值电压
漏源电阻
漏源二极管特性及最大额定值
漏源二极管正向电压
栅极输入电阻
V
SD
R
G
V
GS
=0V, I
DS
=4.5A
V
GS
=0.V
DS
=0.V
Frequency=1MHZ
1
页 共
1
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
=0V, I
DS
=250uA
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
最小
20
--
--
典型
--
--
--
最大
--
1
±100
单½
V
uA
nA
V
GS
TH
R
DS
ON
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250uA
V
GS
=4.5V, I
D
=3A
V
GS
=2.5V, I
D
=2A
0.45
--
--
0.65
24
28
1.0
30
35
V
mΩ
--
--
--
2.5
1.3
--
V
Ω
www.superchip.cn
Version 1.0
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