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4N65TF

器件型号:4N65TF
器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   
厂商:平伟(PINGWEI)
重庆平伟科技(集团)有限公司,成立于1996年,经过二十余年不懈的努力,在求实、创新、团结、进取的企业精神感召下,现已发展成为集工业、房地产、农业相融合的民营企业。集团销售收入已突破70亿元。公司主要以工业版块为主,包括研发、制造汽车及家电零部件,汽车模具,电子元器件,3D打印等领域;同时集团还涉及房地产业和农业版块,房地产现重点项目为江北嘴平伟ICFC以及潼南区的隆鑫中央大街。农业项目已被评定为“长寿现代农业园区柑橘晚熟示范基地”,现正全力打造重庆市产旅融合示范项目。公司稳健发展的同时获取殊荣不断,连续多年被评为优秀民营企业和重庆企业100强称号。
厂商官网:http://www.perfectway.cn
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器件描述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道

参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.6Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)34W(Tc)
类型N沟道
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