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2SC4115E

器件型号:2SC4115E
文件大小:239KB,共3页
厂商:长电科技(JCET)

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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器件描述

transistor

2SC4115E产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors
2SC4115E
TRANSISTOR
C
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
unit: mm
DESCRIPTION
NPN Epitaxial planar Silicon Transistor
FEATURES
Low V
CE
(sat).V
CE
(sat) = 0.2V (Typ.)(I
C
/I
B
= 2A/0.1A)
APPLICATION
Excellent current gain characteristics
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,
DVD-ROM, Note book PC, etc.)
MARKING:CFQ, CFR, CFS
C
TOP
B
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
E
C
BACK
E
B
CFQ
B E
MAXIMUM RATINGS T
A
=25
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Total Device Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
40
20
6
3
150
150
-55-150
Units
V
V
V
A
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage*
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CEsat
Test
conditions
MIN
40
20
6
0.1
0.1
120
560
0.5
290
25
V
MHz
pF
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
µA
µA
I
C
= 50µA , I
E
=0
I
C
= 1mA , I
B
=0
I
E
=50µA, I
C
=0
V
CB
=30V ,
V
CE
=2 V,
I
E
=0
I
C
= 0.1A
V
EB
= 5V , I
C
=0
I
C
= 2A,
I
B
=0.1A
V
CE
=2V, I
C
=0.5 A
f=100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
R
180-390
f
T
C
obo
Q
120-270
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
S
270-560
Typical Characteristics
2SC4115E
Sym bol
A
A1
b
b1
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
L3
L4
k
z
D im e n s io n s In M illim e t e r s
M in .
M ax.
0 .4 5 0
0 .5 5 0
0 .0 1 0
0 .0 9 0
0 .2 3 0
0 .3 3 0
0 .3 2 0 R E F .
1 .5 5 0
1 .6 5 0
1 .5 5 0
1 .6 5 0
0 .7 5 0 R E F .
1 .0 0 0 R E F .
1 .0 0 0 T Y P .
0 .2 8 0 R E F .
0 .2 3 0 R E F .
0 .1 8 0 R E F .
0 .2 5 0 R E F .
0 .2 0 0 R E F .
0 .3 2 0 R E F .
0 .1 6 0 R E F .
D im e n s io n s In In c h e s
M in .
M ax.
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 9
0 .0 1 3
0 .0 1 3 R E F .
0 .0 6 1
0 .0 6 5
0 .0 6 1
0 .0 6 5
0 .0 3 0 R E F .
0 .0 4 0 R E F .
0 .0 4 0 T Y P .
0 .0 1 1 R E F .
0 .0 0 9 R E F .
0 .0 0 7 R E F .
0 .0 1 0 R E F .
0 .0 0 8 R E F .
0 .0 1 3 R E F .
0 .0 0 6 R E F .
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