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1SS356

器件型号:1SS356
器件类别:分立半导体    二极管   
文件大小:870.36KB,共3页
厂商:强茂(PANJIT)

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/
标准:
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器件描述

surface mount pin diode

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压35 V
配置SINGLE
最大二极管电容1.2 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻0.9 Ω
二极管类型PIN DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

1SS356产品介绍

1SS356
SURFACE MOUNT PIN DIODE
VOLTAGE
FEATURES
Very low series resistance at 100MHz (0.45
typical@I
F
=2mA)
.054(1.35)
.045(1.15)
.078(1.95)
.068(1.75)
35 Volts
POWER
200 mW
SOD-323
Unit: inch (mm)
.014(.35)
Surface mount package ideally suited for automatic insertion
Pb free product are available : 99% Sn above can meet RoHS
environment substance directive request
.009(.25)
Low capacitance (0.8pF typical@V
R
=6V)
.038(.95)
.027(.70)
.107(2.7)
.090(2.3)
MECHANICAL DATA
Case: SOD-323 plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Approx Weight: 0.0041 grams
Device Marking : 356
.012(.30)MIN.
ABSOLUTE RATINGS
Parameter
Maximum Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Symbol
Value
35
0.2
.002(.05)
.006(.15)
Units
V
A
V
R
I
F
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Junction Temperaure
Storage Temperature
Symbol
Value
200
625
-55 to 150
-55 to 150
O
Units
mW
C/W
O
P
T O T
R
θ
JA
T
J
T
S T G
C
C
O
Note 1 : FR-5 Board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
STAD-SEP.06.2005
PAGE . 1
1SS356
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25
O
C, unless otherwise noted)
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Current
Series Resistance
Total Capacitance
Symbol
Test Condition
Min.
35
-
-
-
Typ.
-
-
0.45
-
Max.
-
10
0.9
1.2
Units
V
nA
pF
V
(B R )
I
R
R
S
C
T
I
R
=10
µA
V
R
=25V
I
F
=2mA,f=100MHz
V
R
=6V,f=1MHz
1.000
100
T
J
=125 C
O
DC Forward Current,I
F
(mA)
Rever se Leaka ge,I
R
(
m
A)
V
R
=25V
0.100
10
T
J
=25 C
O
T
J
=75 C
O
0.010
1
T
J
=-55 C
O
0.001
-50
0
50
100
15
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
Junction Temperature, T
J
(C)
DC Forward Voltage,V
F
(V)
FIG. 1-Leakage Current
FIG. 2-Forward Voltage
1.8
Serie s Resis tance ,R
S
(ohm s)
10
‘ f=100MHz
‘ f=100MHz
1.6
Capacit ance,C (pF)
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
5
10
15
20
Reverse Voltage,V
R
(V)
25
1
0.1
0
2
4
6
8
10
12
DC Forward Current,I
F
(mA)
FIG. 3-Capacitance
FIG. 4-Series Resistance
STAD-SEP.06.2005
PAGE . 2
MOUNTING PAD LAYOUT
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 12K per 13" plastic Reel
T/R - 5K per 7" plastic Reel
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2006
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information
herein are subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the
suitability of its products for any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or
systems. Pan Jit does not convey any license under its patent rights or rights of others.
REV.0-JAN.6.2006
PAGE . 3
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