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1S80

器件型号:1S80
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商:扬杰科技(YANGJIE)

扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,现拥有注册资本16480万人民币。公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于芯片、二极管、整流桥、电力电子模块等半导体分立器件高端领域的产业发展,是中国优秀的半导体企业之一。

公司经过不断努力,已成功通过ISO9001:2008质量体系认证、ISO14001:2004环境体系认证和TS16949:2002汽车行业质量体系认证,2011年公司通过了全球汽车行业统一现行的汽车品质ISO/TS16949:2009体系认证,主要产品获得美国UL安全认证,并符合最新欧盟RoHS指令的环保要求。公司是国家科技部火炬高技术产业开发中心认定的国家火炬计划重点高新技术企业(批准文号:国科火字[2010]287号),2009年经江苏省科技厅、财政厅、国家税务局与地方税务局联合认定的国家高新技术企业、江苏省AAA级信用单位、江苏省创新型企业。公司主营产品“UFG215S型 Epi Gpp芯片”、“光伏专用二极管”、“高性能三相桥式整流器”等30项产品被江苏省科学技术厅认定为高新技术产品,扬杰及图形已获得江苏省著名商标、扬杰牌硅桥式整流器和二极管荣获江苏省名牌产品称号。公司现拥有国家专利共126项,其中国家发明专利18项,实用新型专利104项,外观设计专利4项。

公司现拥有三处自主的生产、办公基地,合计占地178亩。产品应用于汽车电子、LED照明、通讯电源、开关电源、家用电器、太阳能光伏等众多领域。国内设有广州、深圳、厦门、宁波、温州、杭州、上海、武汉、重庆、成都、青岛、天津等14个办事处,为国内各大终端客户提供直接的技术支持服务。于2008年专门设立国际贸易部,全力开拓国际市场。通过全体销售人员的共同努力,产品不仅在国内热销,还远销韩国、德国、美国、印度、俄罗斯、意大利、台湾、香港等多个国家和地区,销售业绩每年保持约30%的增长。

公司致力领跑于半导体分立器件行业前沿,近年来先后研发的旁路二极管、配套LED照明的迷你整流桥、配套风力发电的三向桥等一系列新产品不仅填补了国内空白,而且有效的替代了同类进口产品,在市场上取得了较高的占有率。其中公司自主研发的光伏二极管产品取代德国进口,荣获中国国际专利与名牌博览会金奖;公司作为主编单位制定《光伏组件接线盒用二极管技术要求》国家标准;汽车电子芯片产品指标达到国际先进水平,成功填补国内汽车发电机芯片市场空白;整流桥产品的质量和销量在国内同行中处于领先地位。

公司历来注重技术人才队伍的建设和培养。在激烈的市场竞争中,始终以技术创新为先导,以产品质量为保证,创造了良好的经济效益和社会效益。先后和东南大学、华中科技大学、西安电子科技大学、沈阳工业大学、扬州大学、山东省半导体研究所等多家研究机构签订产学研协议,建立了长期的项目开发合作关系。与东南大学共建了“江苏省功率半导体芯片及器件封装工程技术研究中心”和“江苏省企业技术中心”;与中国科学院院士、南京大学教授郑有炓先生共建了企业院士工作站。这一系列的举措,使公司的研发力量更上一层台阶。

扬州扬杰电子科技股份有限公司以全球化视野整合公司资源、打造扬杰品牌、实施人才战略。公司通过引进科学管理模式,完善企业内部管理制度,夯实内部管理基础;对外通过采用兼并、扩大融资、与国际知名公司合作等方式,为公司做强做大打下坚实基础。经历了四年的努力与艰辛,扬杰科技荣登资本市场,于2014年1月23日在深交所创业板挂牌上市,成为“创业板扬州第一股”。

下一步,扬杰科技将以上市为契机,抓住机遇、乘势而上,全面实施国际化精品产业战略,立志成为二十一世纪中国半导体行业内规模一流、品牌一流、团队一流的综合性企业。

厂商官网:http://www.21yangjie.com/
标准:
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器件描述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM)

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
最高工作温度125 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY

1S80产品介绍

1S20 THRU 1S100
肖特基二极管
Schottky Rectifier
■特征
Features
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
R-1
.130(3.30)
.118(3.00)
1.0(25.4)
MIN
1.0(25.4)
MIN
●I
o
1.0A
●VRRM
20V-100V
●耐正向浪涌电流½力高
●High
surge current capability
■用途
Applications
.080(2.00)
.021(0.53)
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
正向平均电流
Average Forward Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward
Current
结温
Junction Temperature
储存温度
Storage Temperature
Unit: in inches (millimeters)
符号
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
单½
Unit
V
A
条件
Conditions
20
20
正弦半波60Hz,电阻负½½,Ta=50
60Hz Half-sine wave, Resistance
load, Ta=50℃
正弦半波60Hz,
一个周期,
Ta=25℃
60Hz Half-sine wave,1 cycle,
Ta=25℃
1S
30
30
40
40
50
50
60
60
80
80
1.0
25
-55~+125
-55 ~ +150
A
■电特性
(Ta=25℃ 除非另有规定)
Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward
Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse
Current
热阻(典型)
Thermal
Resistance(Typical)
符号
Symbol
V
FM
I
RRM1
I
RRM2
R
θ
J-A
单½
Unit
V
测试条件
Test Condition
I
FM
=1.0A
V
RM
=V
RRM
Ta=25℃
Ta=125℃
1S
20
30
0.55
0.1
10
50
40
50
0.7
60
80
0.8
100
mA
/W
结和环境之间
Between junction and ambient
Document Number 0177
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
DIA
●整流用
Rectifier
.107(2.70)
.025(0.64)
100
100
1S20 THRU 1S100
■特性曲线
(典型)
Characteristics(Typical)
1
:正向电流降额曲线
FIG.1: FORWARD CURRENT DERATING CURVE
IFSM(A)
1.0
IO(A)
2:
最大正向浪涌冲击耐受力
FIG.2
:
MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT
50
0.8
40
8.3
毫秒正弦半波
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
0.6
30
0.4
20
0.2
单相半波电压电阻和电感负½½
0.375 ' '
9.5
毫米)引线长度
Single Phase Half Wave 60HZ Resistive or
Inductive Load 0.375''(9.5mm) Lead Length
10
0
0
50
100
150
1
2
10
20
周波数
100
Number of Cycles
IR(mA)
3:
典型正向特性曲线
FIG.3: TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IF(A)
20
10
1S20-1S40
100
4:
典型反向特性曲线
FIG.4: TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
10
Tj=125
1S80-1S100
1.0
Tj=75
0.1
1.0
1S50-1S60
TJ=25
Pulse width=300us
1% Duty Cycle
0.2
0.1
0.1
0.01
Tj=25
0.001
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VF(V)
0
20
40
60
80
100
Voltage(%)
Document Number 0177
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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