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1N5243A_B0_10001

产品描述Zener Diode
产品类别分立半导体    二极管   
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

下载文档 详细参数

1N5243A_B0_10001概述

Zener Diode

1N5243A_B0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗13 Ω
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
膝阻抗最大值600 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压13 V
最大反向电流0.5 µA
反向测试电压9.9 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差3%
工作测试电流9.5 mA

1N5243A_B0_10001文档预览

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1N5221B~1N5266B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 68 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
P
TOT
T
J
T
STG
C
C
O
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3*
1.1
o
Units
C/mW
V
R
JA
V
F
--
--
*Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
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