电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 

1N5242D-35T/R

器件型号:1N5242D-35T/R
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商:强茂(PANJIT)

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/
标准:
下载文档

器件描述

Zener Diode, 12V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗30 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压12 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差20%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

1N5242D-35T/R产品介绍

DATA SHEET
1N5221B~1N5267B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P ar m et r
a
e
P ow erD i si aton atTam b = 25
s p i
Juncton Tem per t r
i
aue
S t r ge Tem per t r R ange
oa
aue
Vald pr vi ed t atl ads ata di t nce of8m m fom case ar keptatam bi ntt m per t r .
i o d
h e
sa
r
e
e e
aue
O
S ym bol
Val e
u
500
175
- 5 t +175
6 o
U nis
t
mW
O
C
P
TO T
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Mi n.
--
--
Typ.
Max.
0.3*
1.1
Uni ts
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 1
N ominal Zener Voltage
Part N umber
No m. V
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
2.4
2.5
2.7
2.8
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
2.28
2.38
2.57
2.66
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.7
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
57
58.9
64.6
71.25
M a x. V
2.52
2.63
2.84
2.94
3.15
3.47
3.78
4.1
4.52
4.94
5.36
5.88
6.3
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
63
65.1
71.4
78.75
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
150
125
150
170
185
230
270
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7.4
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2.1
2
1.8
1.7
Z
ZK
@ I
ZK
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Max R everse
Leakage C urrent
I
R
@ V
R
uA
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
M a ki g
r n
c de
o
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
STANDARD VOLTAGE TOLERANCE IS + 5% AND:
SUFFIX “A” FOR + 3%
SUFFIX “B” FOR + 5%
SUFFIX “C” FOR + 10%
SUFFIX “D” FOR + 20%
* MEASURED WITH PULSES Tp=40 mSec.
STAD-NOV.08.2006
ZENERDIODENUMBERINGSYSTEM:
1N5225B
B
1*
2*
1* TYPE NO.
2* TOLERANCE OF VZ
3* e.g., 1N5225B=3.0V + 5%
PAGE . 2
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
POWER DISSIPATION, mWatts
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
O
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
Vz (V)
5
10
15
20
25
30
Iz (mA)
50
40
30
20
10
Test Current
Iz = 20mA
0
15
12
11
9.1
20
6.8
6.2
5.6
5.1
4.7
4.3
24
3.9
2.7
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 3
今日直播|安森美图像传感器,助力汽车、机器视觉和人工智能领域发展
安森美(onsemi),作为市场领先的完整智能感知方案供应商,提供完整的感知技术方案,例如图像传感,超声波、毫米波雷达和激光雷达传感器融合。本次会议将在汽车、机器视觉和人工智能三个领域分别介绍安森美的产品和应用。 汽车感知应用方面,本次会议将介绍ADAS、DMS、OMS、E-Mirror以及SensL的产品在激光雷达上的应用,如:AR0820AT、AR0233AT、AR0147AT;工业视觉方面,将介绍GlobalShutter的Python和XGS产品,典...
EEWORLD社区 综合技术交流
10月22日有奖直播回顾:适用于视频、转换器、通信的千兆数字隔离器
直播时间:10月22日10:00-11:30 直播主题:适用于视频、转换器、通信的千兆数字隔离器 演讲文档:点此下载 观看回放:点击观看 问答汇总: 1、请问骏龙科技与ADI推出的千兆数字隔离器相比传统的或其他厂家的数字隔离器有哪些突出的优势和特点? A:主要是稳定行好,ADI隔离器的鲁棒性在业内做的是最好的,最不容易受到干扰,这是ADI隔离器价值最高的 2、高速传输意味着数据量的增大,由...
dancerzj 综合技术交流
从集成电路后段制造领域(芯片封装与测试)来了解现实中微电子制造领域的静电问题
微电子制造中的静电问题与分析解决都是存在于众多微小的细节之中。 微电子制造中存在大量的生产工序会产生并累积静电。 静电的直接影响之一就是通过静电感应作用将临近的微电子器件(确切而言,是其中的大量金属线路)充电至高静电位。 而微电子制造中涉及的许多电气测试机台(IC封测工厂就含有大量的电测工序),就是典型的CDM(ChargedDeviceModel,器件带电放电模型)ESD关键工序(100%会发生CDMESD),由此导致微电子器件的电性不良风险(主要是器件中的绝缘膜层漏电流...
copper_hou 综合技术交流
绝对真理的内涵、架构与印证
世界上究竟是否有一种理论是一成不变、放之四海而皆准的?从“真理是相对的”这个判断来看,它理当属于真理的体系,却存在一个自相矛盾。因此,真理是绝对的。绝对真理阐述如下: 一、内涵 绝对真理是能够在普遍意义、基本层面上解释或描述世界上所有现象的理论。它具有几个与众不同的特点: 1、能够自圆其说; 2、不存在自我矛盾; 3、完备的; 4、绝对正确的; 5、解释一切,但并非事无巨细都解释,至少在很大部分上丧失了因果性。 概而言之,正面说得通,反面推不倒。一通百通。 二、架构 绝对真理...
renzaisina 综合技术交流
这些天kei调试的一些小收获
1.food.position.x=(4*(TL0%4)-1);这个表达式在TL0%4为0的情况下会使得food.position.x=-1,表达成十六进制会得到0xff(这里的food.position.x是int型)。 而我的程序段里有这么两句“P2=table[food.position.x];和u8table[]={0x7f,0xbf,0xdf,0xef};”把hex文件焼写进去以后,我发现那个数码管dp点有时亮有时不亮,这个BUG困扰我好久,于是我追踪food....
zzbeagle 综合技术交流
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2022 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved