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1N5227CT/R15

器件型号:1N5227CT/R15
器件类别:分立半导体    二极管   
文件大小:78KB,共3页
厂商:强茂(PANJIT)

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/
标准:
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器件描述

Zener Diode, 3.6V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压3.6 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差10%
Base Number Matches1

1N5227CT/R15产品介绍

DATA SHEET
1N5221B~1N5267B
SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P ar m et r
a
e
P ow erD i si aton atTam b = 25
s p i
Juncton Tem per t r
i
aue
S t r ge Tem per t r R ange
oa
aue
Vald pr vi ed t atl ads ata di t nce of8m m fom case ar keptatam bi ntt m per t r .
i o d
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O
S ym bol
Val e
u
500
175
- 5 t +175
6 o
U nis
t
mW
O
C
P
TO T
T
J
T
S
C
C
O
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
Mi n.
--
--
Typ.
Max.
0.3*
1.1
Uni ts
K/mW
V
R
θ
JA
V
F
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10 mm from case are kept at ambi ent temperature.
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 1
N ominal Zener Voltage
Part N umber
No m. V
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
2.4
2.5
2.7
2.8
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
2.28
2.38
2.57
2.66
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.7
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
13.3
14.25
15.2
16.15
17.1
18.05
19
20.9
22.8
23.75
25.65
26.6
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
57
58.9
64.6
71.25
M a x. V
2.52
2.63
2.84
2.94
3.15
3.47
3.78
4.1
4.52
4.94
5.36
5.88
6.3
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
14.7
15.75
16.8
17.85
18.9
19.95
21
23.1
25.2
26.25
28.35
29.4
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
63
65.1
71.4
78.75
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
150
125
150
170
185
230
270
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7.4
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
2.2
2.1
2
1.8
1.7
Z
ZK
@ I
ZK
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Max R everse
Leakage C urrent
I
R
@ V
R
uA
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
56
M a ki g
r n
c de
o
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
STANDARD VOLTAGE TOLERANCE IS + 5% AND:
SUFFIX “A” FOR + 3%
SUFFIX “B” FOR + 5%
SUFFIX “C” FOR + 10%
SUFFIX “D” FOR + 20%
* MEASURED WITH PULSES Tp=40 mSec.
STAD-NOV.08.2006
ZENERDIODENUMBERINGSYSTEM:
1N5225B
B
1*
2*
1* TYPE NO.
2* TOLERANCE OF VZ
3* e.g., 1N5225B=3.0V + 5%
PAGE . 2
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
POWER DISSIPATION, mWatts
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
O
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
Vz (V)
5
10
15
20
25
30
Iz (mA)
50
40
30
20
10
Test Current
Iz = 20mA
0
15
12
11
9.1
20
6.8
6.2
5.6
5.1
4.7
4.3
24
3.9
2.7
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
STAD-NOV.08.2006
PAGE . 3
国务院学位委员会投票通过“设立集成电路一级学科”的提案!
据业内人士透露,国务院学位委员会会议于今(30)日召开,会议投票通过了设立集成电路一级学科,拟设于新设的交叉学科门类下的提案,待国务院批准后,将与交叉学科门类一起公布。近年来,从国家的政策上便可看出国家对于集成电路人才的重视。早在2016年,教育部、工信部等相关部门便印发了《关于支持有关高校建设示范性微电子学院的通知》,支持北京大学、清华大学、北京航空航天大...
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