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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5226B
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1N5226B

产品描述稳压齐纳二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB，共2页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准

扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，现拥有注册资本16480万人民币。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于芯片、二极管、整流桥、电力电子模块等半导体分立器件高端领域的产业发展，是中国优秀的半导体企业之一。

公司经过不断努力，已成功通过ISO9001:2008质量体系认证、ISO14001:2004环境体系认证和TS16949：2002汽车行业质量体系认证，2011年公司通过了全球汽车行业统一现行的汽车品质ISO/TS16949：2009体系认证，主要产品获得美国UL安全认证，并符合最新欧盟RoHS指令的环保要求。公司是国家科技部火炬高技术产业开发中心认定的国家火炬计划重点高新技术企业（批准文号：国科火字[2010]287号），2009年经江苏省科技厅、财政厅、国家税务局与地方税务局联合认定的国家高新技术企业、江苏省AAA级信用单位、江苏省创新型企业。公司主营产品“UFG215S型 Epi Gpp芯片”、“光伏专用二极管”、“高性能三相桥式整流器”等30项产品被江苏省科学技术厅认定为高新技术产品，扬杰及图形已获得江苏省著名商标、扬杰牌硅桥式整流器和二极管荣获江苏省名牌产品称号。公司现拥有国家专利共126项，其中国家发明专利18项，实用新型专利104项，外观设计专利4项。

公司现拥有三处自主的生产、办公基地，合计占地178亩。产品应用于汽车电子、LED照明、通讯电源、开关电源、家用电器、太阳能光伏等众多领域。国内设有广州、深圳、厦门、宁波、温州、杭州、上海、武汉、重庆、成都、青岛、天津等14个办事处，为国内各大终端客户提供直接的技术支持服务。于2008年专门设立国际贸易部，全力开拓国际市场。通过全体销售人员的共同努力，产品不仅在国内热销，还远销韩国、德国、美国、印度、俄罗斯、意大利、台湾、香港等多个国家和地区,销售业绩每年保持约30%的增长。

公司致力领跑于半导体分立器件行业前沿，近年来先后研发的旁路二极管、配套LED照明的迷你整流桥、配套风力发电的三向桥等一系列新产品不仅填补了国内空白，而且有效的替代了同类进口产品，在市场上取得了较高的占有率。其中公司自主研发的光伏二极管产品取代德国进口，荣获中国国际专利与名牌博览会金奖；公司作为主编单位制定《光伏组件接线盒用二极管技术要求》国家标准；汽车电子芯片产品指标达到国际先进水平，成功填补国内汽车发电机芯片市场空白；整流桥产品的质量和销量在国内同行中处于领先地位。

公司历来注重技术人才队伍的建设和培养。在激烈的市场竞争中，始终以技术创新为先导，以产品质量为保证，创造了良好的经济效益和社会效益。先后和东南大学、华中科技大学、西安电子科技大学、沈阳工业大学、扬州大学、山东省半导体研究所等多家研究机构签订产学研协议，建立了长期的项目开发合作关系。与东南大学共建了“江苏省功率半导体芯片及器件封装工程技术研究中心”和“江苏省企业技术中心”；与中国科学院院士、南京大学教授郑有炓先生共建了企业院士工作站。这一系列的举措，使公司的研发力量更上一层台阶。

扬州扬杰电子科技股份有限公司以全球化视野整合公司资源、打造扬杰品牌、实施人才战略。公司通过引进科学管理模式，完善企业内部管理制度，夯实内部管理基础；对外通过采用兼并、扩大融资、与国际知名公司合作等方式，为公司做强做大打下坚实基础。经历了四年的努力与艰辛，扬杰科技荣登资本市场，于2014年1月23日在深交所创业板挂牌上市，成为“创业板扬州第一股”。

下一步，扬杰科技将以上市为契机，抓住机遇、乘势而上,全面实施国际化精品产业战略，立志成为二十一世纪中国半导体行业内规模一流、品牌一流、团队一流的综合性企业。

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1N5226B概述

稳压齐纳二极管

3.3 V, 0.5 W, 硅, 单向电压稳压二极管, DO-35

功能特点

产品名称：稳压齐纳二极管


产品型号：1N5226B


产品特征：


Ptot 500mW


Vz 2.4V-75V



产品用途：


稳定电压用 Stabilizing Voltage



产品数据：


Zener voltage range Vz at Izt 额定齐纳电压：3.3V


Test current Izt 测试电流： 20mA


Dynamic resistance最大动态电阻:


Zzt at Izt： 28Ω


Zzk at Izk =0.25mA ：1600Ω


Temperature of Coefficient at Izt 温度系数：-0.070%/K


Reverse leakage current 最大反向漏电流：IR：25μA VR=1V


Maximum junction temperature 最大结温 Tj： 175℃


Storage temperature range 存储温度范围 Tstg : -65~+175℃



封装：DO-35


1N5226B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗28 Ω
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压3.3 V
表面贴装NO
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

1N5226B文档预览

1N5221B~1N5267B
Zener diode
Features
1.High reliability
2.Very sharp reverse characteristic
3.Low reverse current level
4.Vz-tolerance
*
5%
Voltage Range
2.4 to 75 Volts
DO-35
1.02(26.0)
MIN
.079(2.0)
MAX
.165(4.2)
MAX
Applications
Voltage stabilization
1.02(26.0)
MIN
Absoluto Maximum Ratings
0
Tj=25 C
Parameter
Power dissipation
Z-current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
T
amb
*75
0
C
Type
.020(.52)
TYP
Dimensions in inches and (millimeters)
Symbol
P
D
l
z
Tj
Tstg
Value
500
P
D
/V
z
200
-65~+200
Unit
mW
mA
0
C
0
C
Maximum Thermal Resistance
Tj=25
0
C
Parameter
Junction ambient
Test Condltions
I=9.5mm(3/8") T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrcal Characteristics
Tj=25
0
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
l
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
Type
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
Vznom
V
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
lzt for Vzt and Rzt
mA
*
20
<30
20
<30
20
<30
20
<30
20
<29
20
<28
20
<24
20
<23
20
<22
20
<19
20
<17
20
<11
20
<7
20
<7
20
<5
20
<6
20
<8
20
<8
20
<10
20
<17
20
<22
20
<30
9.5
<13
9.0
<15
8.5
<16
7.8
<17
7.4
<19
7.0
<21
6.6
<23
6.2
<25
5.6
<39
5.2
<33
5.0
<35
4.6
<41
4.5
<44
4.2
<49
3.8
<58
3.4
<70
3.2
<80
3.0
<93
2.7
<105
2.5
<125
2.2
<150
2.1
<170
2.0
<185
1.8
<230
1.7
<270
R
zk
*
<1200
<1250
<1300
<1400
<1600
<1600
<1700
<1900
<2000
<1900
<1600
<l600
<1600
<1000
<750
<500
<500
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<700
<700
<800
<900
<1000
<1100
<1300
<1400
<1400
<1600
<1700
at
l
zk
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
l
R
at V
R
uA
<100
<100
<75
<75
<50
<25
<15
<10
<5
<5
<5
<5
<5
<5
<3<3
<3
<3
<3
<3
<2
<1
<0.5
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
58
TK
vz
%/K
<-0.085
<-0.085
<-0.080
<-0.080
<-0.075
<-0.070
<-0.065
<-0.060
<+0.055
<+0.030
<+0.030
<+0.038
<+0.038
<+0.045
<+0.050
<+0.058
<+0.062
<+0.065
<+0.068
<+0.075
<+0.076
<+0.077
<+0.079
<+0.082
<+0.082
<+0.083
<+0.084
<+0.085
<+0.086
<+0.086
<+0.087
<+0.088
<+0.089
<+0.090
<+0.091
<+0.091
<+0.092
<+0.093
<+0.094
<+0.095
<+0.095
<+0.096
<+0.096
<+0.097
<+0.097
<+0.097
<+0.098
1)Based on DC-measurement at thermal equilibrium while maintaining the lead temperature (T
L
)at 30
0
C,
9.5mm(3/8") from the diode body.
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