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1N4756AB

器件型号:1N4756AB
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商:强茂(PANJIT)

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/
标准:
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器件描述

Zener Diode, 44.65V V(Z), 2.44%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压47 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.44%
Base Number Matches1

1N4756AB产品介绍

1N4736A SERIES
SILICON ZENER DIODE
VOLTAGE
6.8 to 51 Volts
FEATURES
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low inductance
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
0.205(5.2)
0.160(4.1)
0.034(0.86)
0.028(0.71)
POWER
1.0 Watts
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
1.0(25.4)MIN.
• Case: Molded plastic DO-41
• Epoxy:UL 94V-O rate flame retardant
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
guaranteed
• Polarity: Color band denotes positive end
• Mounting position:Any
• Weight: 0.012 ounce, 0.3 gram
• Packing information
B
- 1K per Bulk box
T/R - 5K per 13" paper Reel
T/B - 2.5K per horiz. tape & Ammo box
0.107(2.7)
0.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
1*
-55 to + 150
-55 to + 150
Units
W
O
C
P
TOT
T
J
T
STG
C
C
O
*Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
May 31,2011-REV.07
PAGE . 1
1N4736A SERIES
N o m i n a l Ze n e r Vo l t a g e
Part Number
N o m. V
1.0 Watt ZENER
1N4736A
1N4737A
1N4738A
1N4739A
1N4740A
1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
1N4751A
1N4752A
1N4753A
1N4754A
1N4755A
1N4756A
1N4757A
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
6.46
7.13
7.79
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
3.5
4
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
V
Z
@ I
ZT
Min . V
Ma x . V
Ω
M a x i m u m Ze n e r I m p e d a n c e
Z
ZT
@ I
ZT
mA
Ω
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
Z
ZK
@ I
ZK
mA
M a x i m u m Leakage Current
I
R
@ V
R
uA
V
Marking
C ode
D O-4 1
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7
6.5
6
5.5
5
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
1N4736A
1N4737A
1N4738A
1N4739A
1N4740A
1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
1N4751A
1N4752A
1N4753A
1N4754A
1N4755A
1N4756A
1N4757A
May 31,2011-REV.07
PAGE . 2
1N4736A SERIES
C
J
, Junction Capacitance (pF)
1000
0V BIAS
1V BIAS
100
50% VZ BIAS
1.0
P
D
, Maximum Power
Dissipation(Watts)
0.75
0.5
0.25
0
0
20
40
60
80
100
120
140 160 180
200
10
1
10
100
T
L
, Lead Temperature(
o
C)
V
Z
, Zener Voltage (V)
Fig.1 Steady-State Power Derating Curve
Fig.2 Typical Junction Capacitance
10000.0
I
F
, Forward Current (mA)
I
R
, Leakage Current(nA)
1000.0
100.0
10.0
1.0
0.1
0
Typical Leakage Current at 80% of
Nominal Breakdown Voltage
1000
T
J
= 150°C
100
T
J
=
125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= 75°C
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
10
20
30
40
50
60
V
Z
, Nominal Zener Voltage (V)
V
F
, Forward Voltage (V)
Fig.3 Typical Leakage Characteristics
Zz,Dynamic Impedance (OHMS)
1000
Fig.4 Typical Forward Characteristics
Zz,Dynamic Impedance (OHMS)
1000
100
51V
100
I
Z
=1mA
10
I
Z
=5mA
I
Z
=20mA
0.1
1
10
100
10
22V
1
6.8V
1
0.1
1
10
100
I
Z
, Zener Current (mA)
V
Z
, Zener Voltage (V)
Fig.5 Typical Effect Of Zener Current On Zener
Impedance
Fig.6 Typical Effect Of Zener Voltage On Zener
Impedance
May 31,2011-REV.07
PAGE . 3
1N4736A SERIES
θ
JL
, Junction To Lead Thermal
Resistance (
o
C / W )
120
100
80
60
40
20
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
100
θV
Z
, Temperature
o
Coefficient (mV/ C)
10
1
1
10
100
L, Lead Length To Heat Sink (Inches)
Fig.7 Thermal Resistance Versus Lead Length
V
Z
, Zener Voltage (V)
Fig.8 Temperature Coefficient (+25
o
C To +150
o
C Temperature
Range ; 90% Of The Units Are In The Ranges Indicated)
May 31,2011-REV.07
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