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1N4679T/B

器件型号:1N4679T/B
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商:强茂(PANJIT)

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/
标准:  
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器件描述

Zener Diode, 2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压2 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%

1N4679T/B产品介绍

1N4678 SERIES
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
1.8 to 43 Volts
POWER
500mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Rating
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=100mA
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Notes 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
TOT
V
F
R
θJA
T
J
T
STG
Value
500
1
300
-55 to +175
-55 to +175
Units
mW
V
O
C/W
O
C
C
O
NOTES :
1. Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
February 23,2011-REV.00
PAGE . 1
1N4678 SERIES
No mi na l Ze ne r Vo lta g e
Part
Number
No m.V
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
27.0
28.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
Max. Zener Impedance
Max. Reverse Leakage Current
Marking
Code
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
V
Z
@ I
ZT
Mi n.V
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
Ma x.V
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
Ω
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Z
ZT
@ I
ZT
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
μA
7.50
5.00
4.00
2.00
1.00
0.80
7.50
7.50
5.00
4.00
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
I
R
@ V
R
February 23,2011-REV.00
PAGE . 2
1N4678 SERIES
P
D
, Power Dissipation (W)
0.6
1000
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
I
F
, Forward Current
(mA)
T
J
= 125°C
100
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= 75°C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T
L
, Lead Temperature (°C)
V
F
, Forward Voltage (V)
Fig.1 Power Derating Curve
Fig.2 Typical Forward Characteristics
2.0V
4.3V
3.6V
3.3V
3.0V
6.2V
5.6V
4.7V
10V
11V
22V
60
I
R
,Leakage Current (μA)
50
40
30
20
10
T
J
= 25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
V
R
, Reverse Voltage (V)
Fig.3 Typical Reverse Characteristics
6.2V
5.6V
4.7V
4.3V
3.6V
3.3V
3.0V
10V
11V
22V
30
2.0V
I
Z
, Leakage Current (mA)
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
T
J
= 25°C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
V
Z
, Reverse Voltage (V)
Fig.4 Typical Zener Characteristics
February 23,2011-REV.00
PAGE . 3
【转帖】芯片是什么
复杂繁琐的芯片设计流程芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必要的IC芯片(这些会在后面介绍)。然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢?下面来对IC设计做介绍。在IC生产流程中,IC多由专业IC设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel等知名大厂,都自行设计各自的IC芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计,所以IC...
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我们是生产电线电缆设备的公司。以前在制作绞线机时,机器控制采用集电环传输,进行内外两个PLC之间的通讯,进行PLC之间的数据交换。两个PLC,一个安装在有旋转绞弓的船体上(内部PLC),一个安装在机器外的控制柜内,早先方案是PLC间的通讯连接线通过集电环碳刷传输进旋转绞弓内的PLC。现在生产使用中发现此种传输方式不稳定,通讯滞后现象也很严重。控制系统从主轴上读取设备运行参数时,传统的方式也是通过电滑环进行数据传输,由于电滑环是随着主轴高速旋转,磨损问题不可避免,需要频繁更换,从而导致生产停机,损...
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