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1N4448W

器件型号:1N4448W
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商:长电科技(JCET)

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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器件描述

开关二极管

参数
参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
Base Number Matches1

产品简介

功能特点

产品名称:开关二极管


产品型号:1N4448W


产品特征:


Fast Switching Speed


Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion


For General Purpose Switching Applications


High Conductance



产品参数:


Pd 耗散功率 :500mW


Io 整流电流 :250mA


VR 反向工作电压:75V


VF 正向降压:1.25V


IR 反向电流:2.5uA


Trr 正向恢复时间:4ns



封装:SOD-123

1N4448W产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes
1N4448W
FEATURES
FAST SWITCHING DIODES
SOD-123
SOD-123
+
+
-
-
MARKING: T5
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T
A
=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak reverse voltage
Peak Repetitive Peak reverse voltage
Working Peak
DC Blocking
Voltage
Symbol
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
O
I
FSM
Pd
Junction
to
R
θJA
T
STG
53
500
250
4.0
1.5
500
250
-65~+150
V
mA
mA
A
mW
℃/W
75
V
Limits
100
Unit
V
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Peak forward surge current @=1.0μs
@=1.0s
Power Dissipation
Thermal
Ambient
Storage temperature
Resistance
Electrical Ratings @T
A
=25℃
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
V
(BR)R
V
F1
Forward voltage
V
F2
V
F3
V
F4
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse Recovery Time
I
R1
I
R2
C
T
t
rr
Min.
75
0.62
0.72
0.855
1.0
1.25
2.5
25
4
4
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
V
V
μA
nA
pF
ns
Conditions
I
R
=10μA
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
Typical Characteristics
1N4448W
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