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WILLSEMI(韦尔)

上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司,公司成立于2007年5月,总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区,在深圳、台湾、香港等地设立办事处。

器件名 厂商 描 述 功能
ESD5302F-3/TR WILLSEMI(韦尔) 反向关断电压(典型值):5V (Max) 击穿电压(最小值):7V 极性:Unidirectional 箝位电压:20V 峰值脉冲电流(10/1000us):16A 下载
ESD5304D-10/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):4A (8/20us) 箝位电压:12V 击穿电压(最小值):7V 反向关断电压(典型值):5V 下载
ESD5311XZ-2/TR WILLSEMI(韦尔) 反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):7.5V 极性:Bidirectional 箝位电压:21V @ 16A 峰值脉冲电流(10/1000us):4A (8/20us) 下载
ESD5311Z-2/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):4A (8/20us) 箝位电压:21V 击穿电压(最小值):7.5V 反向关断电压(典型值):5V (Max) 下载
ESD5431XZ-2/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):10A (8/20us) 箝位电压:10V 击穿电压(最小值):3.4V 反向关断电压(典型值):3.3V (Max) 下载
ESD5451X-2/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):8A (8/20us) 箝位电压:10V 击穿电压(最小值):5.1V 反向关断电压(典型值):5V (Max) 下载
ESD56101D10-2/TR WILLSEMI(韦尔) 反向关断电压(典型值):10V 击穿电压(最小值):11.5V 极性:Unidirectional 箝位电压:15V @ 16A 峰值脉冲电流(10/1000us):60A (8/20us) 下载
ESD56171D04-3/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):160A (8/20us) 箝位电压:14V 击穿电压(最小值):- 反向关断电压(典型值):4.5V (Max) 下载
ESD56201D04-2/TR WILLSEMI(韦尔) 反向关断电压(典型值):4.85V 击穿电压(最小值):5.2V 极性:Unidirectional 箝位电压:12V 峰值脉冲电流(10/1000us):120A (8/20us) 下载
ESD5621W15-2/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):45A 箝位电压:31V 击穿电压(最小值):16V 反向关断电压(典型值):15V (Max) 下载
ESD9N5V-2/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):10A (8/20us) 箝位电压:15V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V (Max) 下载
ESD9NS5V-3/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):9A (8/20us) 箝位电压:17V 击穿电压(最小值):9.5V (Max) 反向关断电压(典型值):5V (Max) 下载
ESD9X7V-2/TR WILLSEMI(韦尔) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):9.5A (8/20us) 箝位电压:17V 击穿电压(最小值):7.5V 反向关断电压(典型值):7V 下载
ESDA6V8V6-6/TR WILLSEMI(韦尔) 峰值脉冲电流(10/1000us):16A (8/20us) 下载
RB521S30-2/TR WILLSEMI(韦尔) 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):500mV @ 200mA 30V,200mA 下载
WAS4644C-36/TR WILLSEMI(韦尔) 导通电阻(最大值):10Ω 开关电压(最大值):3.6V 多路复用器/解复用器电路:2:1/1:2 开关电路:SPDT 下载
WCM2068-6/TR WILLSEMI(韦尔) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A,2.8A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 3.4A,4.5V;116mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):720mW 类型:N沟道和P沟道 N+P双沟道,20V/4.4A(-20V/-2.8A) 下载
WL2801E18-5/TR WILLSEMI(韦尔) 输出类型:固定 最大输入电压:5.5V 输出电流:200mA 输出电压(最小值/固定值):1.8V Vin=2.7V~5.5V,Vout=1.8V 下载
WL2803E18-5/TR WILLSEMI(韦尔) 输出类型:固定 最大输入电压:5.5V 输出电流:- 输出电压(最小值/固定值):1.8V 下载
WL2803E33-5/TR WILLSEMI(韦尔) 输出类型:固定 最大输入电压:5.5V 输出电流:500mA 输出电压(最小值/固定值):3.3V 下载
WL2805E33-5/TR WILLSEMI(韦尔) 输出类型:固定 最大输入电压:5.5V 输出电流:250mA 输出电压(最小值/固定值):3.3V 下载
WNM2016-3/TR WILLSEMI(韦尔) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道 N沟道,20V,3.2A 下载
WNM2020-3/TR WILLSEMI(韦尔) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):830mA 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:310mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):320mW 类型:N沟道 下载
WNM2024-3/TR WILLSEMI(韦尔) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.3A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):600mW 类型:N沟道 下载
WPM2341-3/TR WILLSEMI(韦尔) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 3.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-4.3A 下载
WPM9435 WILLSEMI(韦尔) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-5.5A 下载
WPT2E33-3/TR WILLSEMI(韦尔) 额定功率:3W 集电极电流Ic:3A 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:PNP 下载
WPT2N31-6/TR WILLSEMI(韦尔) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.7A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:260mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.2W 类型:N沟道 下载
WS3202E61-6/TR WILLSEMI(韦尔) 过压过电流保护IC 下载
WSB5511M-2/TR WILLSEMI(韦尔) 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):500mV @ 3A 下载
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