电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
Datasheet > 元器件厂商> VBsemi(台湾微碧)

VBsemi(台湾微碧)

VBsemi成立于2000年,是国内MOSFET最具竞争力之功率半导体组件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利,并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。 VBsemi是台湾一家自行研发、生产、销售MOSFET自有品牌的公司。从组件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务,营销全球。本公司产品已被广泛应用于UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor等领域。

器件名 厂商 描 述 功能
VB1101M VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:134mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,4.3A,100mΩ@10V 下载
VB7322 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,30V,6A,30mΩ@10V 下载
VB7638 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:N沟道 下载
VBA1302 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道 N沟道,30V,25A,2mΩ@10V 下载
VBA4317 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.5A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 7.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道 下载
VBA4338 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-30V,-6.6A,32mΩ@10V 下载
VBA5638 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A(Tc),4.9A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 4.3A,10V;60mΩ @ 3.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W(Tc),3.4W(Tc) 类型:N沟道和P沟道 下载
VBE1203M VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:245mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:N沟道 下载
VBE1695 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16.9A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:83mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):41.7W 类型:N沟道 N沟道,60V,16A,95mΩ@10V 下载
VBE2338 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):26A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-30A,28mΩ@10V 下载
VBFB1208N VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):145W 类型:N沟道 下载
VBFB2658 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:53mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道 下载
VBI2338 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.6A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):6.5W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-5.8A,38mΩ@10V 下载
VBJ2456 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):35V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道 P沟道,-40V,-6A,56mΩ@10V 下载
VBK162K VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.35A,1.8Ω@10V 下载
VBK4223N VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.8A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:155mΩ @ 1.8A,4.5V;235mΩ @ 1.5A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:双P沟道 下载
VBL1303 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):98A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 98A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道 下载
VBM1102N VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):355W 类型:N沟道 下载
VBM1201M VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):126W 类型:N沟道 下载
VBM1302 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):140A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.1mΩ @ 140A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道 下载
VBM1606 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 120A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W 类型:N沟道 下载
VBM1808 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W 类型:N沟道 下载
VBMB1203M VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):37W 类型:N沟道 下载
VBMB165R20S VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):208W 类型:N沟道 下载
VBP1104N VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W 类型:N沟道 下载
VBP1606 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W 类型:N沟道 下载
VBQA1402 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 120A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W 类型:N沟道 下载
VBQA2309 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W 类型:P沟道 下载
VBQG7313 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 栅源极阈值电压:-2.4V @ -250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W 类型:N沟道 下载
VBZA4435 VBsemi(台湾微碧) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-9A,18mΩ@10V 下载
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved