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Truesemi(信安)

信安半导体成立于2008年,属安联集团全资子公司,致力于大中华地区MOSFET产品销售,2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域,同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。POWER SOLUSTION是一家专业电力半导体FAB OWN公司。公司成立于2005年,工厂坐落在韩国第一工业城市--浦项,主营POWER MOSFET及IGBT的生产于研发。目前8 英寸月产能12000片,是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线,目前公司员工195人,所有技术骨干均来自韩国SAMSUNG(三星)半导体和美国FAIRCHILD(仙童)半导体。他们在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。公司2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。在韩国极东大学和富川设有附属研究所。目前VD-MOSFET和IGBT产品获得韩国政府12项技术专利。POWER SOLUSTION生产的产品广泛应用于电焊机、逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源等各领域。韩国三星电子、LG电子、康佳等公司均为POWER SOLUSTION终端客户。

器件名 厂商 描 述 功能
TSA18N50MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:310mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):235W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 500V 18A 下载
TSA20N50M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,20A,0.28Ω 下载
TSA23N50M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:260mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):280W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 23A,500V 下载
TSA24N50M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):290W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,24A,0.2Ω 下载
TSA9N90M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,900V,9A,1.4Ω 下载
TSD5N50MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 2.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W 类型:N沟道 下载
TSD5N60M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,4.5A,2.5Ω 下载
TSF10N65M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,10A,1.0Ω 下载
TSF12N60M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,12A,0.7Ω 下载
TSF13N50M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,13A,0.48Ω 下载
TSF16N50MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,16A,0.4Ω 下载
TSF16N60MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:470mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,16A,0.47Ω 下载
TSF16N65MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:520mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,16A,0.52Ω 下载
TSF18N50MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:320mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,18A,0.32Ω 下载
TSF20N50M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):37W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,20A,0.28Ω 下载
TSF20N65MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:480mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,20A,0.48Ω 下载
TSF5N65M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,4.5A,3.0Ω 下载
TSF65R190S2 Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 下载
TSF65R360S2 Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 下载
TSF7N60M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,7A,1.3Ω 下载
TSF7N80M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,800V,7A,1.6Ω 下载
TSF840MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,9A,0.8Ω 下载
TSF8N65M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,7.5A,1.5Ω 下载
TSF9N90M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,900V,9A,1.4Ω 下载
TSP12N60M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 下载
TSP740MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:510mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):193.6W(Tc) 类型:N沟道 下载
TSP840MR Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):139W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,500V,9A,0.8Ω@10V 下载
TSP8N60M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):152W(Tc) 类型:N沟道 下载
TSU5N60M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 下载
TSU5N65M Truesemi(信安) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.27Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道 下载
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