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SINO-IC(光宇睿芯)

上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

器件名 厂商 描 述 功能
MM3Z5V6 SINO-IC(光宇睿芯) 精度:- 5.6V 下载
SE18NS65A SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道 N沟道,650V 下载
SE20040A SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 下载
SE20075G SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360W(Tc) 类型:N沟道 下载
SE2302 SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 下载
SE2306 SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:24.5mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 下载
SE30150A SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W 类型:N沟道 下载
SE3018 SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,50V,0.3A,2.3Ω@4.5V 下载
SE30P12 SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 下载
SE40300GTS SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):288A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道 下载
SE40P20B SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W 类型:P沟道 P沟道 -40V -20A 下载
SE4606L SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):20V,18V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A,5A 栅源极阈值电压:650mV @ 1mA(标准) 漏源导通电阻:32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W,2W 类型:N沟道和P沟道 下载
SE60120B SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):200W 类型:N沟道 N沟道 60V 120A 下载
SE60300GT SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):230A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道 下载
SE6880A SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):70V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 下载
SE8209(ESD) SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道 下载
SEBLC03C SINO-IC(光宇睿芯) 极性:Bidirectional / Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):3.3V 反向关断电压(典型值):3V 下载
SEBLC15C SINO-IC(光宇睿芯) 极性:Bidirectional / Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):16.7V 反向关断电压(典型值):15V 下载
SEBT818BA SINO-IC(光宇睿芯) 额定功率:1.2W 集电极电流Ic:3A 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:PNP PNP 下载
SED3022M SINO-IC(光宇睿芯) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W 类型:N沟道 N沟道 VDS = 30V RDS(ON) = 20mΩ@VGS=10V 下载
SEDFN05V4 SINO-IC(光宇睿芯) 极性:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:15V 击穿电压(最小值):6V 反向关断电压(典型值):5V 下载
SEL05 SINO-IC(光宇睿芯) 反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):6V 极性:- 箝位电压:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 下载
SESD3Z08C SINO-IC(光宇睿芯) 反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):8.6V 极性:Bidirectional 箝位电压:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 下载
SESD3Z15C SINO-IC(光宇睿芯) 反向关断电压(典型值):15V 击穿电压(最小值):16.7V 极性:Bidirectional 箝位电压:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 下载
SESD3Z24C SINO-IC(光宇睿芯) 反向关断电压(典型值):24V 击穿电压(最小值):25.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 下载
SESD3Z5V SINO-IC(光宇睿芯) 反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):6.1V 极性:Unidirectional 箝位电压:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 下载
SESD5Z12V SINO-IC(光宇睿芯) 反向关断电压(典型值):12V 击穿电压(最小值):13.5V 极性:Unidirectional 箝位电压:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 下载
SESDFBP05C SINO-IC(光宇睿芯) 反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):6.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:- 峰值脉冲电流(10/1000us):- 下载
SESOT12C SINO-IC(光宇睿芯) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):13.3V 反向关断电压(典型值):12V 下载
SESOT24C SINO-IC(光宇睿芯) 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:- 击穿电压(最小值):26.7V 反向关断电压(典型值):24V 下载
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