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Potens(博盛半导体)

Potens是一家台湾品牌的半导体公司,其拥有一支非常优秀的研发团队,团队核心成员均为台湾富鼎(APEC)的高层,具有丰富的研发经验。Potens目前致力于电源功率半导体的设计与开发,特别是全系列MOSFET,在业内具有相当高的水准。

器件名 厂商 描 述 功能
PDC2306Z Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):65A(Tc) 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.4mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):44.6W(Tc) 类型:N沟道 下载
PDC2603Z Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W(Tc) 类型:P沟道 下载
PDC2604Z Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):66W(Tc) 类型:N沟道 下载
PDC3902X Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):130A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W(Tc) 类型:N沟道 下载
PDC3903Z Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):59W(Tc) 类型:P沟道 下载
PDC3906Z Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 30V 60A 下载
PDC3908X Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54W(Tc) 类型:N沟道 下载
PDC3908Z Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W(Tc) 类型:N沟道 下载
PDC8974X Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.2mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):142W 类型:N沟道 下载
PDD0906 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 100V 15A 100mΩ@4.5V 下载
PDD3906 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54W(Tc) 类型:N沟道 下载
PDH0980 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):275W(Tc) 类型:N沟道 下载
PDH6902 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):114A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):183W(Tc) 类型:N沟道 下载
PDK3908 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:15.5mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.47W 类型:N沟道 N沟道 30V, 7.5A 下载
PDK6912 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.79W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,5A 下载
PDN2311S Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.7A(Tc) 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-20V,-4.7A 下载
PDN2312S Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.7A 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 3A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道 下载
PDN2313S Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A(Tc) 栅源极阈值电压:800mV @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-20V,-4.1A 下载
PDN3909S Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:P沟道 下载
PDN3912S Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W 类型:N沟道 下载
PDN6911S Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W(Tc) 类型:P沟道 下载
PDP0959 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):114W(Tc) 类型:P沟道 下载
PDQ3714 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc),3A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA,2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 4A,10V;65mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W(Tc) 类型:N沟道和P沟道 下载
PDS3807 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Tc) 类型:双P沟道 P沟道,-30V,-7A 下载
PDS3812 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.5A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Tc) 类型:双N沟道 N沟道,30V,7.5A 下载
PDS3903 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W(Tc) 类型:P沟道 下载
PDS4909 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.3W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-40V,-6.5A 下载
PDS6910 Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.66W(Tc) 类型:N沟道 下载
PMEN2423S Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道 下载
PMEN2P7002S Potens(博盛半导体) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道 下载
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