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MATSUKI(松木)

MOSFET制程主要使用先进的0.25/0.18/0.13 µm制程技术,全方位应用在低压及中﹑高电压领域。我们拥有类比积体电路﹑MOSFET ﹑肖特基二极体和被动零件等销售项目,在Co-Pak或COB达到最有效的管理和应用。我们拥有MOSFET ﹑类比积体电路最佳设计及制程整合技术团队。

器件名 厂商 描 述 功能
ME12P04 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.6A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-40V,-18.6A,45mΩ@-10V 下载
ME15N10 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,低压MOSFETs 下载
ME20N03 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):39A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):37W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,30V,39A,20mΩ@4.5V 下载
ME20P03 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):27.6A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-27.6A,42mΩ@-4.5V 下载
ME20P06-G MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17.7A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:78mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39.1W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-60V,-17.7A,100mΩ@4.5V 下载
ME2301 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:P沟道 P沟道,-20V,-2.7A,150mΩ@-2.5V 下载
ME2302 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N沟道,20V,2.8A,130mΩ@1.8V 下载
ME2306A MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.38A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.39W 类型:N沟道 N沟道,30V,5.38A,50mΩ@2.5V 下载
ME2306D MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.3A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:31mΩ @ 6.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.39W 类型:N沟道 N沟道,30V,5.3A,52mΩ@4.5V 下载
ME2307 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-3.5A,95mΩ@-4.5V 下载
ME2320D MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.4A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 N沟道,20V,6.4A,33mΩ@1.8V 下载
ME2323D MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 下载
ME2325-G MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道,低压MOSFETs 下载
ME2345A MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道,低压MOSFETs 下载
ME25N06 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,16A,86mΩ@4.5V 下载
ME3587 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.4A,2A 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):800mW,700mW 类型:N沟道和P沟道 P+N双沟道,20V/3.4A,-20V/-2A,120mΩ@1.8V 下载
ME4435 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.8A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道 低压MOSFETs 下载
ME4542 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.1A,6A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6.7A,10V;35mΩ @ 6.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 P+N双沟道,30V/7.1A,-30V/-6A 下载
ME4565AD4 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21.2A(Tc),18.6A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 7A,10V;45mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.6W,2.7W 类型:N沟道和P沟道 P+N双沟道,40V/22.1A,-40V/-18.6A 下载
ME45P04 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-40V,-30A,18mΩ@-10V 下载
ME50P06-G MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):61A 栅源极阈值电压:60V @ 260uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):114W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-60V,-61A 下载
ME60N03 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48.5A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,30V,48.5A,13mΩ@4.5V 下载
ME85P03 MATSUKI(松木) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-80A,11mΩ@-4.5V 下载
METR3904-G MATSUKI(松木) 额定功率:225mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN 下载
METR3906-G MATSUKI(松木) 额定功率:225mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:PNP 下载
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