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LONTEN(龙腾半导体)

龙腾半导体有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发及销售于一体的高新技术企业。公司视技术创新为企业发展的核心竞争力,建有国内一流水准的研发中心及应用测试实验室。公司通过ISO9001-2015质量体系认证,在功率半导体器件设计及应用领域申请83项专利。公司建有国内一流水准的研发中心及实验室。公司推出的超结功率场效应管(Super Junction VDMOS、Shielding Gate VDMOS)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)等系列产品具有高能效、高可靠性及高性价比的优点,已在计算机及服务器电源、LED驱动电源、充电器、适配器、TV板卡电源等多个领域得到广泛应用;在新能源汽车充电桩、车载充电机、汽车电机驱动、光伏逆变器、工业变频器、UPS、电焊机市场等领域持续增长。

器件名 厂商 描 述 功能
LDB60U60W4 LONTEN(龙腾半导体) 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):60A 正向压降(Vf):1.9V @ 60A 反向恢复时间(trr):45ns 下载
LDC60U08W4 LONTEN(龙腾半导体) 下载
LNC08R220 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):92W(Tc) 类型:N沟道 下载
LNC16N65 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):180W(Tc) 类型:N沟道 下载
LNC4N60 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):77W 类型:N沟道 下载
LNC5N50 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道 下载
LND12N60 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W 类型:N沟道 下载
LND13N50 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:460mΩ @ 6..5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 下载
LND4N60 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W 类型:N沟道 下载
LND4N65 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W 类型:N沟道 下载
LND7N60 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W 类型:N沟道 下载
LNG04R035B LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道 下载
LNG04R050 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:6.2mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 下载
LNG05R155 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:15.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54W(Tc) 类型:N沟道 下载
LNH4N80 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 下载
LSB60R039GT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:39mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSB60R092GT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:92mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):278W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSB60R125HT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):216W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSB65R070GF LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):47A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:70mΩ @ 23.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):290W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSB65R099GF LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:99mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):278W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSC80R350GT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 下载
LSD60R380HT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31.8W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSD65R180GF LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSD70R450GT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道 下载
LSDN60R950HT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSG50R160HT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:160mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSGC10R080W3 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSGG08R060W3 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSGN04R025 LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):57.6W(Tc) 类型:N沟道 下载
LSH65R570GT LONTEN(龙腾半导体) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:570mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 下载
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