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GOFORD(谷峰)

深圳市谷峰电子有限公司,于1995年在香港成立,并于2000年在深圳成立深圳公司,并在江苏设立分公司。多年来一直从事于半导体元器件的研发、生产和销售。我们在国内外建有自主研发的团队,研发产品在国内和国外的大型半导体工厂投片生产。我们与国内的多家知名封装工厂有很好的合作,从而保证产品的优质品质。 我们竭诚欢迎与大家合作,以优质的产品和服务取得共赢。 谷峰电子在巩固和深入原有半导体产品的基础上,主要加强对MOSFET产品的研发、生产和销售。 谷峰电子欢迎新老朋友、厂家及各地的分销商来电商谈合作事宜! 谷峰电子是您永远值得信赖的伙伴!

器件名 厂商 描 述 功能
06N06L GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.5A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道 下载
18N10 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):47W(Tc) 类型:N沟道 下载
20N06-252 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 60V,20A,80mΩ@4.5V 下载
2300F GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 2.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W(Tc) 类型:N沟道 N管,20V,6A,开启0.65V,20m?(typ)@4.5V 下载
2301 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道 P管,-20V,-3A,开启-0.7V, 64mΩ(typ)@-4.5V 下载
2312 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N沟道,20V,6.8A,21mΩ@4.5V 下载
25P06 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-60V,-25A,45mΩ@-10V 下载
3400L GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道 N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V 下载
3415 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.6A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 下载
3415A GOFORD(谷峰) 晶体管类型:- 集电极电流Ic:- 集射极击穿电压Vce:- 额定功率:1.4W P管,-20V,-5.6A,开启-0.68V,35.8mΩ@10V,46.4mΩ@-4.5V 下载
45P40 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-40V,-50A,13mΩ@-10V 下载
4953 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道 P管,-30V,-5.1A,42mΩ@-10V,62mΩ@-4.5V 下载
5N20A-251 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:580mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):78W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,200V,5A,0.49Ω@10V 下载
630A-251 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,200V,9A,0.21Ω@10V 下载
8070.0 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):88A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 N沟道,80V,88A,11mΩ@10V 下载
80N06-251 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W(Tc) 类型:N沟道 - 下载
9N40-220 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:607mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 400V 9A 0.515Ω@10V 下载
G06N10 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W 类型:N沟道 N管,100V,6A,开启2.0V, 195mΩ@10V 下载
G1007 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 栅源极阈值电压:2.6V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):28W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,7A,70mΩ@10V 下载
G13N04 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 N沟道,40V,13A,10mΩ@10V 下载
G16P03 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-16A,10.6mΩ@-10V 下载
G16P03-SOP-8 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道 P管,-30V,-16A,开启-1.5V,10mΩ(typ)@10V,14mΩ(typ)@-4.5V 下载
G2003A GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):190V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道 N沟道,190V,3A,540mΩ@10V 下载
G2305 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道 P管,-20V,-4.8A,开启-0.7V,45mΩ@-4.5V 下载
G30N03A GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道 N管,30V,30A,开启1.5V, 6.3mΩ@10V, 9.2mΩ@4.5V 下载
G30N20K GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 200V 30A 62mΩ@10V 下载
G50N03A GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 N管,30V,50A,开启1.4V, 6.2mΩ@10V, 10mΩ@4.5V 下载
GC11N70F GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:395mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:N沟道 700V 11A 395mΩ@10V 下载
GT1003A GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):17W 类型:N沟道 下载
XM2N200 GOFORD(谷峰) 漏源电压(Vdss):190V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:560mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 190V 2A 356.5mΩ@10V 下载

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