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GD(台湾固锝)

1987固锝电子股份有限公司由陈鉴章先生在台北创立;自芯片扩散工序,到整流二极管封装测试,形成了完整的生产能力.推出“GD”品牌,获市场好评;于2000台北创立铨锝兴业股份有限公司。公司主要生产半导体整流器芯片、二极管、桥式整流器等半导体元器件产品。产品应用于Computer(PC/NB……)、消费性电子产品Consumer、通信Communication,以及汽车市场等领域,产品主要销售对象遍布广大国际市场。公司不断研发和创新,目前已获得丰富的成果,并已取得多项产品研发专利。拥有多项发明专利,具有自主研发能力和自主知识产权。厂内建设有全套的GPP芯片扩散生产线和整流二极管封装生产线,拥有一流的生产设备、领先的研发能力、完整的生产技术、现代的管理理念。具有年产300万片GPP芯片和600KK二级管的生产规模。并已在2004年通过了ISO9001质量管制体系标准认证,2008年荣获国家级高新技术企业证书。迄今,不仅仅培养了一批懂技术会管理的企业职工团队,更以有能力自主研发为傲。在市场上以供应高效整流器芯片为主要特色产品,公司有能力为客户提供高信赖、快恢复、大功率的整流器晶片产品,竭诚为广大用户服务。

器件名 厂商 描 述 功能
1N4007 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A 1000V,1A,VF=1.1V@1A 下载
1N5398 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.4V @ 1.5A 下载
1N5399 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.4V @ 1.5A 1000V,1.5A,VF=1.4V@1.5A 下载
1N5408 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.2V @ 3A 下载
1N5817 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):450mV @ 1A 下载
1N5819 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):600mV @ 1A 下载
F1M GD(台湾固锝) 反向恢复时间(trr):500ns 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A 下载
FR207 GD(台湾固锝) 反向恢复时间(trr):500ns 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V @ 2A 下载
FR302 GD(台湾固锝) 反向恢复时间(trr):150ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V @ 3A 下载
GNOMA GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.15V @ 1.5A 1000V,1.5A,VF=1.15V@1.5A 下载
HER103 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V @ 1A 下载
HER105 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A 下载
HER205 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V @ 2A 下载
HER303 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V @ 3A 下载
HER305 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V @ 3A 下载
M1 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A 下载
M4 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A 下载
MB10S GD(台湾固锝) 反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):500mA 正向压降(Vf):1V @ 400mA 下载
RL207 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.1V @ 2A 1000V,2A,VF=1.4V@2A 下载
SB2100 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):850mV @ 2A 100V,2A,VF=0.85V@2A 下载
SB240 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):500mV @ 2A 下载
SB260 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):700mV @ 2A 下载
SB3100 GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):850mV @ 3A 100V,3A,VF=0.85V@3A 下载
SB5100L GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):700mV @ 5A 100V,5A,VF=0.7V@5A 下载
SF35 GD(台湾固锝) 反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):300V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.25V @ 3A 下载
SF54 GD(台湾固锝) 反向恢复时间(trr):35ns 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):950mV @ 5A 下载
SF58G GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1.75V @ 5A 反向恢复时间(trr):35ns 下载
SR160-TB GD(台湾固锝) 直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):700mV @ 1A 60V,1A,VF=0.7V@1A 下载
SR340 GD(台湾固锝) 下载
UF4006 GD(台湾固锝) 反向恢复时间(trr):75ns 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A 下载

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