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BORN伯恩半导体

伯恩半导体(深圳)有限公司(BORNSEMI)是一家以自主研发、销售为主体的半导体晶元设计公司,是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计、研发与销售的高新技术企业,是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成电路核心技术的供应商之一。

器件名 厂商 描 述 功能
1SS355 BORN伯恩半导体 Switching,VR=90V VRM=80V Trr<4nS SOD-323 下载
2N7002 BORN伯恩半导体 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道 MOSFET,N-channel 60V/20V 0.2A VGS(th)=1V 7.5Ω(MAX)0,SOT-23 下载
5KP22A BORN伯恩半导体 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):141A 箝位电压:35.5V 击穿电压(最小值):24.4V 反向关断电压(典型值):22V P-600 5000W VRWM=22V 单向 功率TVS 电源口 下载
BDFN2C121V BORN伯恩半导体 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5A (8/20us) 箝位电压:26V 击穿电压(最小值):13.3V 反向关断电压(典型值):12V DFN1006/0402 12V Cj=10pF 双向 静电TVS 普通信号 下载
BM3402 BORN伯恩半导体 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道 下载
BPESD0402-05ST BORN伯恩半导体 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):- 箝位电压:40V 击穿电压(最小值):- 反向关断电压(典型值):5V (Max) 0402 5V Cj=0.05pF 超低容值 PESD静电管 下载
BZT52C24 BORN伯恩半导体 精度:- 稳压值(典型值):24V 反向漏电流:100nA @ 16.8V 最大功率:500mW zener,22.8-25.6V,Izt=5mA,SOD-123 下载
BZT52C33 BORN伯恩半导体 精度:- 稳压值(典型值):33V 反向漏电流:100nA @ 23.1V 最大功率:500mW zener,31-35V,Izt=5mA,SOD-123 下载
DSS26 BORN伯恩半导体 schottky,2A 60V VF<0.7V SOD-123FL 下载
ES1D BORN伯恩半导体 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):950mV @ 1A ultra fast rectifiter,1A 200V,Trr<35ns 下载
P5T22A BORN伯恩半导体 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):185A 箝位电压:35.5V 击穿电压(最小值):24.4V 反向关断电压(典型值):22V DO-214AB 5000W VRWM=22V 单向 车载TVS 电源口 下载
P6KE6.8CA BORN伯恩半导体 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):57.2A 箝位电压:10.5V 击穿电压(最小值):6.45V 反向关断电压(典型值):5.8V DO-15 600W VR=5.8V VBR=6.8 双向 电源口 下载
P8S36CA BORN伯恩半导体 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):137.7A 箝位电压:58.1V 击穿电压(最小值):40V 反向关断电压(典型值):36V P-600 8000W VRWM=36V 双向 车载TVS 电源口 下载
PESD3V3S2UT-N BORN伯恩半导体 极性:Bidirectional / Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):24A (8/20us) 箝位电压:16V 击穿电压(最小值):4V 反向关断电压(典型值):3V (Max) SOT-23 3.3V 单向 静电TVS PCAN/串口 下载
PESD3V3V1BCSF-N BORN伯恩半导体 反向关断电压(典型值):3.3V 击穿电压(最小值):3.4V 极性:Bidirectional 箝位电压:13V 峰值脉冲电流(10/1000us):9A (8/20us) VRWM=3.3V Bipolar 下载
PESD5V0U1BA-N BORN伯恩半导体 反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):6V 极性:Bidirectional 箝位电压:17V 峰值脉冲电流(10/1000us):14A (8/20us) VRWM=5V Bipolar 下载
RB521S-30 BORN伯恩半导体 schottky,200mA 30V VF<0.5V Ir<30uA SOD-523 下载
S3MSMC BORN伯恩半导体 Rectifier,1000V 3A DO-214AA SMB 下载
SMAJ43A BORN伯恩半导体 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5.8A 箝位电压:69.4V 击穿电压(最小值):47.8V 反向关断电压(典型值):43V DO-214AC 400W VRWM=43V 单向 功率TVS 电源口 下载
SMAJ58CA BORN伯恩半导体 DO-214AC SMA 400W VRWM=58V 双向 功率TVS 电源口等 下载
SMBJ30A BORN伯恩半导体 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):12.4A 箝位电压:48.4V 击穿电压(最小值):33.3V 反向关断电压(典型值):30V DO-214AA 600W VRWM=30V 单向 功率TVS 电源口 下载
SMBJ440CA BORN伯恩半导体 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):800mA 箝位电压:713V 击穿电压(最小值):492V 反向关断电压(典型值):440V DO-214AA 600W VRWM=440V 双向 功率TVS 电源口 下载
SMBJ5.0A BORN伯恩半导体 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):65.2A 箝位电压:9.2V 击穿电压(最小值):6.4V 反向关断电压(典型值):5V DO-214AA 600W VRWM=5V 单向 功率TVS 电源口 下载
SMBJ6.5A BORN伯恩半导体 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):53.6A 箝位电压:11.2V 击穿电压(最小值):7.22V 反向关断电压(典型值):6.5V DO-214AA 600W VRWM=6.5V 单向 功率TVS 电源口 下载
SMBJ60A BORN伯恩半导体 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):6.2A 箝位电压:96.8V 击穿电压(最小值):66.7V 反向关断电压(典型值):60V DO-214AA 600W VRWM=60V 单向 功率TVS 电源口 下载
SMBJ9.0CA BORN伯恩半导体 极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):39A 箝位电压:15.4V 击穿电压(最小值):10V 反向关断电压(典型值):9V DO-214AA 600W VRWM=9V 双向 功率TVS 电源口 下载
SMCJ24A BORN伯恩半导体 极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):38.6A 箝位电压:38.9V 击穿电压(最小值):26.7V 反向关断电压(典型值):24V DO-214AB 1500W VRWM=24V 单向 功率TVS 电源口 下载
SMDJ85CA BORN伯恩半导体 反向关断电压(典型值):85V 击穿电压(最小值):94.4V 极性:Bidirectional 箝位电压:137V 峰值脉冲电流(10/1000us):21.9A VRWM=85V Bipolar 3000W 下载
SS54SMC BORN伯恩半导体 schottky,5A 40V VF<0.55V DO-214AB SMC 下载
UClamp0501H-N BORN伯恩半导体 反向关断电压(典型值):5V 击穿电压(最小值):6V 极性:Unidirectional 箝位电压:18V 峰值脉冲电流(10/1000us):15A (8/20us) VRWM=5V Unipolar 下载
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