电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
Datasheet > 元器件厂商> GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice(兆易创新)

北京兆易创新科技股份有限公司,成立于2005年4月,是国内首家专业从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司。 公司致力于各种高速和低功耗存储器的设计研发,已通过SGS ISO9001及ISO14001等管理体系的认证。公司拥有180余件的发明专利申请,获得授权专利73件,研发人员比例占员工总数70%,确保了公司产品以“高技术、低功耗、低成本”的特性领先于世界同类产品。 公司核心管理团队曾在硅谷、韩国、台湾等地著名存储器公司工作多年,有着丰富的研发及管理经验,带领团队研发出国内第一颗静态存储器及IP技术,2008年第一颗 Serial Flash产品及第一款 GigaROM 产品,打破了国外的垄断,均填补了国内的空白,2012年Serial Flash产品月销量首次突破70kk,生产工艺提升至65nm,串行闪存领域市占率始终保持中国第一,公司因此成为IC行业中备受瞩目的高新企业。

器件名 厂商 描 述 功能
GD25D10CKIGR GigaDevice(兆易创新) 1Mbit 下载
GD25D80CKIGR GigaDevice(兆易创新) 8Mbit 下载
GD25LE16CLIGR GigaDevice(兆易创新) 16Mbit 下载
GD25LQ64CSIGR GigaDevice(兆易创新) 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:120MHz 技术:- 存储器接口类型:SPI/ QPI 存储器容量:64Mb (8M x 8) 下载
GD25Q16CSIGR GigaDevice(兆易创新) 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:120MHz 技术:- 存储器接口类型:SPI 存储器容量:16Mb (2M x 8) 16Mbit 下载
GD25Q16CTIGR GigaDevice(兆易创新) 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:120MHz 技术:- 存储器接口类型:SPI 存储器容量:16Mb (2M x 8) 下载
GD25Q16CTJGR GigaDevice(兆易创新) 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:120MHz 技术:NOR Flash 存储器接口类型:SPI 存储器容量:16Mb (2M x 8) 16Mbit 下载
GD25Q20CTIG GigaDevice(兆易创新) 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:120MHz 技术:- 存储器接口类型:SPI 存储器容量:2Mb (256K x 8) 2Mbit 下载
GD25Q80CSIGR GigaDevice(兆易创新) 存储器类型:Non-Volatile 存储器构架(格式):FLASH 时钟频率:120MHz 技术:NOR Flash 存储器接口类型:SPI 存储器容量:8Mb (1M x 8) 下载
GD25WD05CTIGR GigaDevice(兆易创新) 技术:NOR Flash 时钟频率:100MHz 存储器构架(格式):FLASH 存储器接口类型:SPI 存储器容量:512Kb (64K x 8) 存储器类型:Non-Volatile 512Kbit 下载
GD25WD20CTIGR GigaDevice(兆易创新) 技术:NOR Flash 时钟频率:100MHz 存储器构架(格式):FLASH 存储器接口类型:SPI 存储器容量:2Mb (256K x 8) 存储器类型:Non-Volatile 2Mbit 下载
GD25WD80CEIGR GigaDevice(兆易创新) 技术:NOR Flash 时钟频率:- 存储器构架(格式):FLASH 存储器接口类型:SPI 存储器容量:8Mb 存储器类型:Non-Volatile 下载
GD32E231C8T6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:1.8V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M23 主频(MAX):72MHz ROM类型:FLASH 下载
GD32F101CBT6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):56MHz ROM类型:FLASH 下载
GD32F101RBT6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):56MHz ROM类型:FLASH 32-bit ARM Cortex-M3 MCU,56MHz,128KB Flash,16KB SRAM 下载
GD32F103CBT6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):108MHz ROM类型:FLASH - 下载
GD32F103VCT6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):108MHz ROM类型:FLASH GD32F103VxT6为LQFP100封装 下载
GD32F130K6U6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):72MHz ROM类型:FLASH - 下载
GD32F190C8T6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.5V ~ 5.5V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):72MHz ROM类型:FLASH 下载
GD32F303RCT6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M4 主频(MAX):125MHz ROM类型:FLASH 下载
GD32F303VCT6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M4 主频(MAX):120MHz ROM类型:FLASH 120MHZ Cortex-M4F浮点内核 支持快速DSP数学运算指令 16位ADC 模拟比较器 下载
GD32F330C4T6 GigaDevice(兆易创新) GD32F330xx ARM® Cortex®-M4 32-bit MCU 下载
GD32F330CBT6 GigaDevice(兆易创新) ARM Cortex-M4 32-bit MCU,128KB Flash,16KB SRAM,84MHz 下载
GD32F330F8P6TR GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):84MHz ROM类型:FLASH 32-bit ARM Cortex-M4 MCU,84MHz,64KB Flash,8KB SRAM 下载
GD32F350C8T6 GigaDevice(兆易创新) ARM Cortex-M4 32-bit MCU,64KB Flash,8KB SRAM,108MHz 下载
GD32F350CBT6 GigaDevice(兆易创新) ARM Cortex-M4 32-bit MCU,128KB Flash,16KB SRAM,108MHz 下载
GD32F405RET6 GigaDevice(兆易创新) GD32F405xx ARM® Cortex®-M4 32-bit MCU 下载
GD32F407RET6 GigaDevice(兆易创新) GD32F407xx ARM® Cortex®-M4 32-bit MCU 下载
GD32F450IIH6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):200MHz ROM类型:FLASH 32-bit ARM Cortex-M4 MCU,200MHz,2048KB FLASH,512KB SRAM 下载
GD32F450VET6 GigaDevice(兆易创新) 工作电压:2.6V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM® Cortex®-M3 主频(MAX):200MHz ROM类型:FLASH 下载
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved