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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RBR2MM30BTFTR
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RBR2MM30BTFTR

产品描述
二极管 肖特基 30 V 2A 表面贴装型 PMDU
产品类别分立半导体    二极管   
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
下载文档 详细参数    

RBR2MM30BTFTR概述

RBR2MM30BTFTR 是一款小型模制类型的肖特基势垒二极管，采用硅外延平面型结构制造，具有高可靠性、低 VF（正向电压）特性，主要用于一般整流应用。

RBR2MM30BTFTR规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;二极管
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
系列Automotive, AEC-Q101
包装卷带（TR）剪切带（CT）
技术肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）30 V
电流 - 平均整流 (Io)2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)490 mV @ 2 A
速度快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏80 µA @ 30 V
不同 Vr、F 时电容-
安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-123F
供应商器件封装PMDU
工作温度 - 结150°C（最大）
基本产品编号RBR2MM30

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RBR2MM30BTF
Schottky Barrier Diode
(AEC-Q101 qualified)
Data sheet
　 　 　
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
●
Outline
V
R
I
o
I
FSM
30
2
30
V
A
A
　
　
　
　
　
　
　
　　　
●
Inner Circuit
●
Features
High reliability
Small power mold type
Low V
F
●
Application
General rectification
●
Structure
Silicon epitaxial planar
●
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
180
T
aping Width(mm)
8
Quantity(pcs)
3000
T
aping Code
TR
Marking
C5
●
Absolute Maximum Ratings (T
c
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Average rectified forward current
Peak forward surge current
Junction temperature
(1)
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
o
I
FSM
T
j
T
stg
Conditions
Duty
≦
0.5
Reverse direct voltage
Glass epoxy mounted
、
60Hz half sin waveform
、
resistive load
、
T
c
=100
℃
Max.
60Hz half sin waveform
、
Non-repetitive
、
one cycle
、
T
a
=25
℃
Limits
30
30
2
30
150
-55
½
150
Unit
V
V
A
A
℃
℃
-
-
Note(1) T avoid occurrence of thermal runaway
，
actual board is to be designed to fulfill dP
d
/dT
j
<1/R
th(j-a)
.
o
●
Characteristics (T
j
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Attention
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
=2A
V
R
=30V
Min. Typ. Max. Unit
-
-
-
-
0.49
80
V
μA
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
www.rohm.com
1/5
© 2016- ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
　
2019/05/28_Rev.002

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