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RBQ10NS45ATL

产品描述
二极管阵列 1 对共阴极 肖特基 45 V 10A 表面贴装型 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
产品类别分立半导体    二极管   
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RBQ10NS45ATL概述

RBQ10NS45ATL 是一款共阴极类型的肖特基势垒二极管,具有低 VF、低 IR 和 ESD 高耐受性能,适用于 PC、手机和各种便携式电子产品。

RBQ10NS45ATL规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;二极管
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
系列-
包装卷带(TR)剪切带(CT)
二极管配置1 对共阴极
技术肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)45 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)650 mV @ 5 A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏70 µA @ 45 V
工作温度 - 结150°C(最大)
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装LPDS
基本产品编号RBQ10

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RBQ10NS45A
Schottky Barrier Diode
Data sheet
V
A
A
     
 
                                                 
Outline
V
R
I
o
I
FSM
45
10
50
 
 
 
 
 
 
 
   
Inner Circuit
Features
High reliability
Power mold type
Cathode common dual type
Low I
R
Application
Switching power supply
Structure
Silicon epitaxial planar
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
330
T
aping Width(mm)
24
Quantity(pcs)
1000
T
aping Code
TL
Marking
BQ10NS45A
Absolute Maximum Ratings (T
c
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Average rectified forward current
Peak forward surge current
Junction temperature
(1)
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
o
I
FSM
T
j
T
stg
Conditions
Duty
0.5
Reverse direct voltage
60Hz half sin waveform
resistive load
I
o
/2 per diode
T
c
=130
Max.
60Hz half sin waveform
non-repetitive
per diode
T
a
=25
Limits
45
45
10
50
150
-55
½
150
Unit
V
V
A
A
-
-
Note(1) T avoid occurrence of thermal runaway
actual board is to be designed to fulfill dP
d
/dT
j
<1/R
θJA
.
o
Attention
www.rohm.com
© 2018- ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2019/05/27_Rev.003

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