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RB521SM-40FHT2R

产品描述
二极管 肖特基 40 V 200mA 表面贴装型 EMD2
产品类别分立半导体    二极管   
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
下载文档 详细参数    

RB521SM-40FHT2R概述

采用硅外延平面型结构制造的小尺寸封装肖特基势垒二极管。

具有小型模制类型、主要用于小电流整流应用
高可靠性
低 VF(正向电压)

RB521SM-40FHT2R规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;二极管
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
系列Automotive, AEC-Q101
包装卷带(TR)剪切带(CT)
技术肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40 V
电流 - 平均整流 (Io)200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)540 mV @ 200 mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏90 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容-
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-79,SOD-523
供应商器件封装EMD2
工作温度 - 结150°C(最大)
基本产品编号RB521

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RB521SM-40FH
Schottky Barrier Diode
(AEC-Q101 qualified)
Data sheet
     
 
                                                 
Outline
V
R
I
o
I
FSM
40
200
1
V
mA
A
 
 
 
 
 
 
 
 
  
Inner Circuit
Features
High reliability
Small mold type
Super Low V
F
Application
Small current rectification
Structure
Epitaxial planar
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
180
T
aping Width(mm)
8
Quantity(pcs)
8000
T
aping Code
T2R
Marking
S
Absolute Maximum Ratings (T
a
= 25ºC unless otherwise stated)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Average rectified forward current
Peak forward surge current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
o
I
FSM
T
j
T
stg
Conditions
Duty
0.5
Reverse direct voltage
Glass epoxy mounted
60Hz half sin
waveform
resistive load
60Hz half sin waveform
Non-repetitive
one cycle
T
a
=25
Limits
45
40
200
1
150
-55
½
150
Unit
V
V
mA
A
-
-
Characteristics (T
a
= 25ºC unless otherwise stated)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Caution
static electricity
Symbol
V
F1
V
F2
V
F3
I
R1
I
R2
Conditions
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
V
R
=10V
V
R
=40V
Min. Typ. Max. Unit
0.16 0.26 0.3
0.31 0.395 0.45
0.41 0.495 0.54
-
3.5
20
-
13
90
V
V
V
μA
μA
Attention
www.rohm.com
© 2016- ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2019/07/18_Rev.006

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