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IPT020N10N5ATMA1

产品描述
表面贴装型 N 通道 100 V 31A(Ta),260A(Tc) 273W(Tc) PG-HSOF-8-1
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数

IPT020N10N5ATMA1概述

MOSFET IPT020N10N5 采用 Infineon TO-Leadless 封装的 Infineon 工业电力场效应晶体管是高开关频率的理想选择。

非常适合高频开关和同步
出色的栅极电荷 x RDS(导通)产品(FOM)
超低导通电阻 RDS(导通)

IPT020N10N5ATMA1规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;晶体管
厂商名称Infineon(英飞凌)
系列OptiMOS™5
包装卷带(TR)剪切带(CT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)31A(Ta),260A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2毫欧 @ 150A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.8V @ 202µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)152 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11000 pF @ 50 V
FET 功能-
功率耗散(最大值)273W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-HSOF-8-1
封装/外壳8-PowerSFN
基本产品编号IPT020

IPT020N10N5ATMA1文档预览

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IPT020N10N5
MOSFET
OptiMOS
TM
5Power-Transistor,100V
Features
•Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.
•ExcellentgatechargexR
DS(on)
product(FOM)
•Verylowon-resistanceR
DS(on)
•N-channel,normallevel
•100%avalanchetested
•Pb-freeplating;RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Tab
HSOF
12
34
56
78
Productvalidation
FullyqualifiedaccordingtoJEDECforIndustrialApplications
Drain
Tab
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
V
DS
R
DS(on),max
I
D
Q
oss
Q
G
(0V..10V)
Value
100
2.0
260
155
122
Unit
V
mΩ
A
nC
nC
Gate
Pin 1
Source
Pin 2-8
Type/OrderingCode
IPT020N10N5
Package
PG-HSOF-8
Marking
020N10N5
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-
Final Data Sheet
1
Rev.2.0,2019-03-26

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