| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | 分立半导体;晶体管 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ 6 |
| 包装 | 卷带（TR）剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 650 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8-FL |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 基本产品编号 | BSZ063 |
| 型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
|---|---|---|---|---|
| HP8K24TB | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 15A（Ta），27A（Tc），26A（Ta），80A（Tc） 3W（Ta） 表面贴装型 8-HSOP | 下载 |
| IAUC90N10S5N062ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8-34 | 下载 |
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 650 V 61A（Tc） 201W（Tc） PG-TO247-3-41 | 下载 |
| IPB60R045P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 600 V 61A（Tc） 201W（Tc） PG-TO263-3-2 | 下载 |
| STW70N65DM6-4 | ST(意法半导体) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 650 V 68A（Tc） 450W（Tc） TO-247-4 | 下载 |
| BSC096N10LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8-6 | 下载 |
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