参数名称 | 属性值 |
类别 | 分立半导体;晶体管 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™-T2 |
包装 | 卷带(TR)剪切带(CT) |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
配置 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11.2 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 28µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 55nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4020pF @ 30V |
功率 - 最大值 | 65W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4 |
基本产品编号 | BSC112 |
型号 | 制造商 | 类别 | 描述 | 文档 |
---|---|---|---|---|
C2M0025120D | Wolfspeed (Cree) | 分立半导体;晶体管 | 通孔 N 通道 1200 V 90A(Tc) 463W(Tc) TO-247-3 | 下载 |
SH8K25GZ0TB | ROHM(罗姆半导体) | 分立半导体;晶体管 | MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 40V 5.2A(Ta) 2W(Ta) 表面贴装型 8-SOP | 下载 |
BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 80 V 100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8-7 | 下载 |
IPLK70R750P7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 700 V - - PG-TDSON-8 | 下载 |
IPB60R070CFD7ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 650 V 31A(Tc) 156W(Tc) PG-TO263-3-2 | 下载 |
IAUC100N08S5N031ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 分立半导体;晶体管 | 表面贴装型 N 通道 80 V 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TDSON-8-34 | 下载 |
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