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BSC112N06LDATMA1

产品描述
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 20A(Tc) 65W(Tc) 表面贴装型 PG-TDSON-8-4
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BSC112N06LDATMA1概述

Infineon OptiMOS 60V 功率 MOSFET 是双超级 SO8 封装,用于高功率密度。由于 Qgd/Qgs,它具有高冲穿抗扰性

BSC112N06LDATMA1规格参数

参数名称属性值
类别分立半导体;晶体管
厂商名称Infineon(英飞凌)
系列OptiMOS™-T2
包装卷带(TR)剪切带(CT)
技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11.2 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 28µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)55nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4020pF @ 30V
功率 - 最大值65W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-PowerVDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-4
基本产品编号BSC112

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