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GD25Q64CPIG

产品描述
FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb(8M x 8) SPI - 四 I/O 120 MHz 8-DIP
产品类别半导体    存储器   
制造商兆易创新(GigaDevice)
官网地址http://www.gigadevice.com
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GD25Q64CPIG概述

GD25Q64CPIG (64M-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(Serial Peripheral Interface, SPI),支持双/四路SPI:串行时钟,芯片选择,串行数据I/O0 (SI), I/O1 (SO), I/O2 (WP#), I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbits/s,四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

特点:
64M位串行闪存-8192K字节-每个可编程页面256字节
标准二重的四路SPI-标准SPl:SCLK。CS#SO。WP#HOLD#-双重:SCLK。CS#。WP#HOLD#-Quad:SCLK。CS#。101. 102. 103
高速时钟频率120MHz,用于30PF负载的快速读取-双I/O数据传输高达240Mbit/s-四I/O数据传输敢达480Mbit/s–连续读取,8/16/32/64字节环绕
软件/硬件Wnte保护-通过软件写入保护所有/部分内存-启用/禁用WP#引脚保护-顶部/底部块保护
最少100000个编程/擦除周期
允许XIP(就地执行)操作()
数据保留期
典型的20年数据保留期

GD25Q64CPIG规格参数

参数名称属性值
类别半导体;存储器
厂商名称兆易创新(GigaDevice)
系列-
包装管件
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术FLASH - NOR
存储容量64Mbit
存储器组织8M x 8
存储器接口SPI - 四 I/O
时钟频率120 MHz
写周期时间 - 字,页50µs,2.4ms
电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-DIP(0.260",6.60mm)
供应商器件封装8-DIP
基本产品编号GD25Q64

GD25Q64CPIG文档预览

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3.3V Uniform Sector
Dual and Quad Serial Flash
GD25Q64C
GD25Q64C
DATASHEET
1

GD25Q64CPIG 相似产品对比

GD25Q64CPIG GD25Q64CSJGR
描述 FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb(8M x 8) SPI - 四 I/O 120 MHz 8-DIP FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb(8M x 8) SPI - 四 I/O 120 MHz 8-SOP
类别 半导体;存储器 半导体;存储器
厂商名称 兆易创新(GigaDevice) 兆易创新(GigaDevice)
包装 管件 卷带(TR)剪切带(CT)
存储器类型 非易失 非易失
存储器格式 闪存 闪存
技术 FLASH - NOR FLASH - NOR
存储容量 64Mbit 64Mbit
存储器组织 8M x 8 8M x 8
存储器接口 SPI - 四 I/O SPI - 四 I/O
时钟频率 120 MHz 120 MHz
写周期时间 - 字,页 50µs,2.4ms 50µs,2.4ms
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) -40°C ~ 105°C(TA)
安装类型 表面贴装型 表面贴装型
封装/外壳 8-DIP(0.260",6.60mm) 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
供应商器件封装 8-DIP 8-SOP
基本产品编号 GD25Q64 GD25Q64

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型号 制造商 类别 描述 文档
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