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GD25Q40CEJGR

产品描述
FLASH - NOR 存储器 IC 4Mb(512K x 8) SPI - 四 I/O 80 MHz 8-USON(2x3)
产品类别半导体    存储器   
制造商兆易创新(GigaDevice)
官网地址http://www.gigadevice.com
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GD25Q40CEJGR概述

GD25Q40CEJGRR(4M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0(SI)、I/O 1(SO)、I/O(WP#)和I/O(HOLD#)。双I/O数据以240Mbit/s的速度传输,四路I/O和四路输出数据以480Mbit/s速度传输。

特点:
4M位串行闪存
512K字节
每个可编程页面256字节
标准二重的四路SPI-标准:SCLK,CS#SI,SO.WP#,HOLD#-双路:SCLK、CS#,WP#。HOLD#-Quad:SCLK。CS编号。IO0.101。102
高速时钟频率120MHz,用于30PF负载的快速读取-双I/O数据传输敢达240Mbit/s-四I/O数据传输高达480Mbit/s
软件/硬件Wrte保护-通过软件保护所有/部分内存-使用WP#引脚启用/禁用保护-顶部/底部块保护
最少100000个编程/擦除周期
快速编程/擦除速度
页面程序时间:0。6ms典型值-扇区擦除时间:45ms典型值
块擦除时间:0。15/ 0. 25秒(典型值)
芯片擦除时间:2。5s典型值
灵活的体系结构-4K字节的统一扇区-32/64K字节的统一块
低功耗1uA典型深度断电电流-1uA典型待机电流

GD25Q40CEJGR规格参数

参数名称属性值
类别半导体;存储器
厂商名称兆易创新(GigaDevice)
系列-
包装卷带(TR)剪切带(CT)
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术FLASH - NOR
存储容量4Mb
存储器组织512K x 8
存储器接口SPI - 四 I/O
时钟频率80 MHz
写周期时间 - 字,页50µs,2.4ms
电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-USON(2x3)
基本产品编号GD25Q40

GD25Q40CEJGR文档预览

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3.3V Uniform Sector
Dual and Quad Serial Flash
GD25Q40C
GD25Q40C
DATASHEET
1

GD25Q40CEJGR 引脚图/封装图

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