GD25LQ256DYIGR PDF数据手册_GD25LQ256DYIGR 特性/功能/参数/引脚图_兆易创新(GigaDevice) 存储器

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GD25LQ256DYIGR: 产品描述FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb（32M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-WSON（6x8）; 产品类别半导体存储器; 制造商兆易创新(GigaDevice); 官网地址http://www.gigadevice.com

GD25LQ256DYIGR概述

GD25LQ256DYIGR (256M-bit)串行闪存支持标准SPI (Serial Peripheral Interface)，支持Dual/Quad SPI和QPI模式:Serial Clock, Chip Select, Serial Data I/O0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

特点：
256M位串行闪存
32M字节
每个可编程页面256字节
标准、双、四SPL、QPI-标准：SCLK、CS#。SI、SO、WP#、HOLD#-双重：SCLK、CS#、。WP#。保持#-四象限SPl:SCLK。CS#。101.102.QPl:SCLK，CS#，IO0,11,12,3
高速时钟频率120MHz，用于30PF负载的快速读取-双I/O数据传输高达240Mbit/s-四I/O数据传输敢达480Mbit/s
允许XIP(就地执行)操作-带8/16/32/64字节换行的连续读取
软件/硬件写入保护-通过软件保护所有/部分内存-使用WP#引脚启用/禁用保护-顶部/底部块保护
最少100000个编程/擦除周期

GD25LQ256DYIGR规格参数

参数名称	属性值
类别	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
技术	FLASH - NOR
存储容量	256Mb
存储器组织	32M x 8
存储器接口	SPI - 四 I/O
时钟频率	120 MHz
写周期时间 - 字，页	2.4ms
电压 - 供电	1.65V ~ 2V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	8-WSON（6x8）
基本产品编号	GD25LQ256

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1.8V Uniform Sector

Dual and Quad Serial Flash

GD25LQ256D

DATASHEET

GD25LQ256DYIGR 引脚图/封装图

GD25LQ256DYIGR 相似产品对比

	GD25LQ256DYIGR	GD25LQ256DWIGR
描述	FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb（32M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-WSON（6x8）	FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb（32M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-WSON（5x6）
类别	半导体;存储器	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)	兆易创新(GigaDevice)
包装	卷带（TR）剪切带（CT）	卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型	非易失	非易失
存储器格式	闪存	闪存
技术	FLASH - NOR	FLASH - NOR
存储容量	256Mb	256Mb
存储器组织	32M x 8	32M x 8
存储器接口	SPI - 四 I/O	SPI - 四 I/O
时钟频率	120 MHz	120 MHz
写周期时间 - 字，页	2.4ms	2.4ms
电压 - 供电	1.65V ~ 2V	1.65V ~ 2V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型	表面贴装型
封装/外壳	8-WDFN 裸露焊盘	8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	8-WSON（6x8）	8-WSON（5x6）
基本产品编号	GD25LQ256	GD25LQ256

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